15pXG-1 6H-SiC(0001)-2×2 Si-rich 清浄表面の構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
西村 智朗
立命館大学国際関係学部
-
城戸 義明
立命館大学理工学部物理科学科
-
星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
-
福山 亮
立命館大理工
-
星野 靖
京大工
-
松原 佑典
立命館大理工
-
福山 亮
立命館大学理工
-
松原 佑典
立命館大学理工
-
西村 智朗
立命館大学
-
城戸 義明
立命館大 理工
-
城戸 義明
立命館大学理工学部
-
城戸 義明
立命館大学理工
関連論文
- 生物多様性条約における遺伝資源へのアクセス及び利益配分 : 現状と課題 (中野雅博教授退職記念論集)
- 現代国際法における「持続可能な発展」概念の到達点 : ヨハネスブルグ会議から見た国際環境法の現状と課題(松井芳郎教授退官記念論文集)
- 27pYG-5 高分解能イオン散乱と第1原理計算によるNiAl(110)表面の構造・ダイナミクスの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 中エネルギーイオン散乱による表面分析
- 30aRD-8 酸化物・グラファイト上に担持した金ナノ粒子に対する終状態効果(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-6 6H-SiC(0001)3×3再構成表面の構造と初期酸化過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRB-6 中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 25pTE-8 NiAl(110)上に形成された極薄Al_2O_x膜の構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-8 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAI(110)表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXJ-11 6H-SiC{0001}-3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-2 Ni(111)の極薄Au膜成長とO_2,NOの吸着(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-6 6H-SiC(0001)-C終端3×3表面の構造と電子状態(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-10 6H-SiC(1120)清浄表面の酸窒化過程 : 界面の構造とキネティクス(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYC-9 SiC(0001)-3×3表面の構造と電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-5 Ni(0.2-10ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-2 極薄Ni/SiC(0001)表面における2√×2√構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-1 極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aYA-6 中エネルギーHeイオンの結晶表面での荷電変換過程(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aWB-3 極薄Ni/SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(II)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWB-2 極薄Ni/6H-SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(I)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)
- 15pXG-2 極薄 Ni と 6H-SiC(0001) の界面反応過程(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15pXG-1 6H-SiC(0001)-2×2 Si-rich 清浄表面の構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 30aRD-13 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発II(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23PXB-1 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発I(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 国際法 (2009年主要文献目録 国際法,国際私法,国際政治・外交史)
- 17pWD-2 中エネルギーイオン散乱・光電子分光によるSi(001)-2xl表面初期酸化過程の研究
- 25pRD-11 高励起^Kおよび^Rbリドベルグ原子のシュタルク特性(25pRD 量子エレクトロニクス(量エレ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26aWS-4 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)におけるCO酸化の反応パス(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pRH-12 中エネルギー・ネオン入射による高感度水素検出(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRF-4 動的カシミヤ効果検証実験 : 実験計画・装置(23pRF 量子エレクトロニクス(量子光学・量子推定・量子暗号),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 2p-YF-8 RbI(001)の表面構造・格子振動の分子動力学計算
- 2p-YF-7 RbI(001)表面緩和の中エネルギーイオン散乱による分析
- 50, 100keV H^+に対するSi(001)2×1:Sb表面における阻止能とエネルギーストラグリング
- 28pYH-8 金ナノ粒子とSrTiO_3(001)及びTiO_2(110)基板界面における電荷移動(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 中エネルギーイオン散乱法による高温におけるCu/Si(111)"5×5"構造の解析
- 22aXB-4 TiO_2(110)及びSrTiO_3(001)上のAu超微粒子の成長過程と電子状態(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 金属酸化物基板上金ナノ粒子の成長過程と電子状態分析
- 18aXK-3 固体表面で散乱された中エネルギーHeイオンの荷電変換過程(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 23aYH-5 TiO_2(110)表面上Auナノ微粒子の電子状態(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aYH-10 Ni(111)面の初期酸化とNiO(111)/Ni(111)表面・界面の構造(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-2 NiO(001)およびTiO_2(110)表面における金ナノ微粒子の成長過程とその電子状態(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXF-7 NiO(001)単結晶上における金属微粒子の成長初期過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXD-3 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算による金属結晶表面格子ダイナミクスの解析(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 22aYD-4 NiO(001) 表面構造と格子ダイナミクスの温度依存性
- 31aWD-10 中エネルギーイオン散乱による NiO(001) 表面構造解析
- 18aTF-10 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるRbI(001)表面振動相関の検証
- 18pTD-2 中エネルギーHeイオンの大角・単回衝突における荷電変換
- 22aWB-12 SR光電子分光と中エネルギーイオン散乱によるSi(001)-2×2表面の初期酸化過程
- 22aWB-7 イオン散乱法と分子動力学計算によるRbI(001)表面構造解析
- 国際環境条約の実施をめぐる理論と現実(レビュー論文-国際経済法・国際環境法・国際人権法)
- 27aY-9 中エネルギーイオン散乱によるTiC(001)、Ta(001)表面緩和とランブリングの決定
- 京都メカニズム再考 (加藤久和教授退職記念論文集)
- Kyoto compliance regime : Its contents and effects on other internal systems
- 気候変動条約制度の到達点と残された課題
- 気候変動条約制度の到達点と残された課題
- 地球環境条約における遵守手続の方向性--気候変動条約制度を素材として
- 気候変動条約制度の構築に関する一考察 : 京都議定書が残した課題の克服に向けて
- 気候変動条約制度の構築に関する一考察--京都議定書が残した課題の克服に向けて
- 気候変動問題と地球環境条約システム (2・完) : 京都議定書を素材として
- 気候変動問題と地球環境条約システム(一) : 京都議定書を素材として
- 気候変動に関する「枠組条約」制度形成についての予備的考察
- 気候変動条約交渉過程に見る国際環境法の動向(2)完 : 「持続可能な発展」を理解する一助として
- 気候変動条約交渉過程に見る国際環境法の動向(1) : 「持続可能な発展」を理解する一助として
- 先端追跡
- 13p-Q-14 軸チャネリングするMeV He^+イオンに対する阻止能
- 28p-Q-10 SrTiO_3(001)表面の中エネルギーイオン散乱・光電子分光分析
- 21pXJ-5 NiSi_2/Si(001)の表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 14pXG-1 Ni-Silicide 反応に伴う Si の表面偏析(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 弾性反跳法(ERDA)による表面水素の定量
- 中・低速イオンと固体表面との相互作用
- イオン散乱・光電子分光による6H-SiC清浄表面の構造解析
- 28aWP-3 6H-SiC(0001^^-)-2x2表面構造と初期酸化過程(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 松井芳郎教授 オーラルヒストリー (大平祐一教授 徐勝教授 中島茂樹教授 松井芳郎教授 水口憲人教授 退職記念論文集)
- 弾性反跳法(ERDA)による表面水素の定量
- 遺伝資源へのアクセスおよび利益配分に関する名古屋議定書 : その内容と課題 (大平祐一教授 徐勝教授 中島茂樹教授 松井芳郎教授 水口憲人教授 退職記念論文集)
- 22aYD-6 熱処理による極薄 Ni/SiC(0001) 界面の初期反応過程
- 22aYD-5 6H-SiC(0001)-√x√ 表面上における極薄 Ni 膜のエピタキシャル成長
- 29aZF-1 6H-SiC(1120) 表面の初期酸化過程
- 26pTH-5 TiO_2(110)のバンドギャップ内に現れるTi3d defect stateの起源(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27a-ZS-6 中速イオン散乱法によるCu/Si(111)の「かくれた」界面構造の観察
- 21pEB-3 中エネルギーイオン散乱による立方晶SiC(001)再構成表面の構造解析(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 22aJB-8 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)に対するCO酸化の反応機構(22aJB 水素ダイナミクス+表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pEA-5 中エネルギーNe^+、N^+入射・弾性反跳による表面水素の検出(24pEA 原子分子(イオン衝突),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26a-YR-3 水素終端Si(111)上でのCu島成長過程
- Si(111)表面上Auの初期反応過程 (特集 Au/Si界面の科学)
- 23pYN-3 中エネルギーHeイオン散乱スペクトルに現れる異常表面ピークの解析
- 22aWB-13 Si(111)-7×7初期酸化過程の中エネルギーイオン散乱光電子分光分析
- 25p-Y-10 高温におけるCu/Si(111)の成長過程 : MEIS, RHEED, AES
- 29p-PS-9 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)の成長初期過程の研究
- WTOと持続可能な発展(佐分晴夫教授退職記念論文集)
- Si(111)表面上Auの初期反応過程
- 高分解能中エネルギーイオン散乱と第一原理計算による3C-SiC(001)-3×2再構成表面の原子構造解析
- 立命館大学 SR センターにおける固体表面研究 -光電子分光 ・ イオン散乱結合ビームライン : SORIS-
- 6aWE-5 動的原子闇ポテンシャル-人射イオン誘起分極効果(放射線物理,領域1)
- 8aSM-7 6H-SiC(1120)の表面構造と初期酸化過程(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 6pWE-1 KI(001)及びRbI(001)表面格子ダイナミクスの高分解能イオン散乱による解析(放射線物理,領域1)
- 1a-W-1 100keVH^+に対するSb/Si(001)の表面における阻止能とエネルギーストラグリング(1aW 放射線物理,放射線物理)