城戸 義明 | 立命館大学理工学部物理科学科

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• 西村 智朗

  立命館大学

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  立命館大理工

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  立命館大学国際関係学部

• 光原 圭

  立命館大理工

• Visikovskiy Anton

  立命館大理工

• 星野 靖

  立命館大理工:神奈川大理

• 奥村 英樹

  立命館大理工

• 橘堂 恭昌

  立命館大理工

• 松木 征史

  立命館大総合理工

• 星野 靖

  立命館大学理工

• 岡沢 哲晃

  立命館大学理工学部物理

• 松木 征史

  立命館大・総理工

• Visikovskiy Anton

  立命館大学理工

• 松田 太志

  立命館大・理工

• 難波 秀利

  立命館大学理工学部

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  立命館大学

• 城戸 義明

  立命大理工

• 岡沢 哲晃

  立命館大理工

• 濱田 遼介

  立命館大理工

• 松本 悠志

  立命館大学理工

• 山本 克治

  京大工

• 大野 滋

  立命館大学

• 秋田 知樹

  産総研関西

• 小北 哲也

  コベルコ科研

• 西村 智明

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  神奈川大学情報

• 岩本 章信

  立命館大理工

• 濱田 遼介

  立命館大学理工学部物理

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  立命館大学理工学部物理

• 西村 智朗

  法政大イオンセ

• 光原 圭

  立命館大学理工

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  立命館大学理工

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  立命館大理工

• 田上 正崇

  立命館大理工

• 岡沢 哲晃

  立命館大学理工学部

• 今井 憲一

  京大理

• 戸崎 充男

  京大RIセンター

• 新井 敏一

  京大低温セ

• 福田 昭

  兵庫医大

• 澤田 安樹

  京大低温セ

• 大沢 大輔

  放医研

• 西岡 孝

  Ntt基礎研

• 岩見 基弘

  岡山大理

• 住友 弘二

  NTT基礎研

• 森下 忠隆

  超電導工学研究所

• 岩見 基弘

  岡大物理

• 岩見 基弘

  岡山大学教授;理学部附属界面科学研究施設

• 岩見 基弘

  岡山大学理学部

• 滝沢 優

  東大理

• 五十棲 泰人

  京大RIセ

• 香山 正憲

  産総研関西

• 森下 忠隆

  (財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所

• 滝沢 優

  立命館大総研

• 越川 孝範

  大阪電気通信大学

• 安江 常夫

  大阪電気通信大学

• 松原 明

  京大理

• 今井 憲一

  京大

• 大澤 大輔

  京大riセ

• 大澤 大輔

  京大riセンター

• 高橋 義朗

  京大理:jst-crest

• 松原 明

  京大低温セ

• 池田 真也

  京大理

• 戸崎 充男

  京大riセ

• 渋谷 誠

  立命館大学理工

• 橘堂 恭昌

  立命館大学理工

• 硲 正明

  立命館大学理工

• 佐藤 拓也

  立命館大学理工学部物理

• 小北 哲也

  立命館大学理工学部物理

• 岩本 章伸

  立命館大理工

• 福山 亮

  立命館大理工

• 星野 靖

  京大工

• 松原 佑典

  立命館大理工

• 城戸 義明

  立命館大・理工・物理

• 福山 亮

  立命館大学理工

• 松原 佑典

  立命館大学理工

• 五十棲 素人

  京大RIセ

• 森下 忠隆

  超電導工学研

• 水崎 隆雄

  京都大学理学部

• 水崎 隆雄

  京都大学理学部第一教室

• 加藤 隆久

  京都大学放射性同位元素総合センター 放射線安全管理室

• 宇田 純郎

  京大高等教育機構

• 池田 真也

  京大物理

• 今井 憲一

  原研東海

• 舟橋 春彦

  京大高等教育機構

• 加藤 隆久

  京大RIセ

• 松木 征史

  立命大理工

• 水崎 隆雄

  福井大遠赤セ

• 中西 玲於奈

  京大物理

• Saeed M.

  京大低温セ

• 高橋 義朗

  京大物理

• 井元 建氏

  立命館大学

• 榊原 尚

  立命館大理工

• 冨田 稔久

  立命館大理工

• 井川 秀彦

  立命館大理工

• Naylor Wade

  阪大理

• 尾形 篤

  大阪電気通信大学工学部応用電子工学科 エレクトロニクス基礎研究所

• 石田 考朗

  立命館大学理工学部物理学科

• 岡沢 哲晃

  独立行政法人産業技術総合研究所関西センターナノ材料科学研究グループ

• 光原 圭

  立命大理工

• 橘堂 恭昌

  立命大理工

• Visikovskiy Anton

  立命大理工

• 松本 悠志

  立命大理工

• 滝沢 優

  立命大理工

• 今井 憲一

  日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター

• 松本 悠志

  立命館大理工

• 前田 泰

  産総研関西

• 櫛田 芳裕

  京都大学エネルギー理工学研究所

• Visikovskiy A.

  立命館大学理工

• 竹田 純子

  立命館大学・理工・物理

• 井元 健氏

  立命館大学

• 戸崎 充男

  京都大学放射性同位元素総合センター

• 奥村 英樹

  立命館大・理工

• 光原 圭

  立命館大・理工

• Viskovskiy A.

  立命館大・理工

• 松田 太志

  立命館大学理工学研究科

• 田上 正崇

  立命館大学理工学研究科

• 越川 孝範

  大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所

• 城戸 義明

  立命館大・理工

• 仙波 昌平

  立命館大学理工学部

• 星野 靖

  立命館大理工

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著作論文

• 27pYG-5 高分解能イオン散乱と第1原理計算によるNiAl(110)表面の構造・ダイナミクスの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 中エネルギーイオン散乱による表面分析
• 30aRD-8 酸化物・グラファイト上に担持した金ナノ粒子に対する終状態効果(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXB-6 6H-SiC(0001)3×3再構成表面の構造と初期酸化過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aRB-6 中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 25pTE-8 NiAl(110)上に形成された極薄Al_2O_x膜の構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 15pXG-1 6H-SiC(0001)-2×2 Si-rich 清浄表面の構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 30aRD-13 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発II(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23PXB-1 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発I(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pRD-11 高励起^Kおよび^Rbリドベルグ原子のシュタルク特性(25pRD 量子エレクトロニクス(量エレ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aWS-4 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)におけるCO酸化の反応パス(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pRH-12 中エネルギー・ネオン入射による高感度水素検出(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pRF-4 動的カシミヤ効果検証実験 : 実験計画・装置(23pRF 量子エレクトロニクス(量子光学・量子推定・量子暗号),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 2p-YF-8 RbI(001)の表面構造・格子振動の分子動力学計算
• 2p-YF-7 RbI(001)表面緩和の中エネルギーイオン散乱による分析
• 50, 100keV H^+に対するSi(001)2×1:Sb表面における阻止能とエネルギーストラグリング
• 28pYH-8 金ナノ粒子とSrTiO_3(001)及びTiO_2(110)基板界面における電荷移動(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 中エネルギーイオン散乱法による高温におけるCu/Si(111)"5×5"構造の解析
• 22aXB-4 TiO_2(110)及びSrTiO_3(001)上のAu超微粒子の成長過程と電子状態(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 金属酸化物基板上金ナノ粒子の成長過程と電子状態分析
• 28p-Q-10 SrTiO_3(001)表面の中エネルギーイオン散乱・光電子分光分析
• 21pXJ-5 NiSi_2/Si(001)の表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 弾性反跳法（ERDA）による表面水素の定量
• 中・低速イオンと固体表面との相互作用
• 弾性反跳法(ERDA)による表面水素の定量
• 26pTH-5 TiO_2(110)のバンドギャップ内に現れるTi3d defect stateの起源(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pEB-3 中エネルギーイオン散乱による立方晶SiC(001)再構成表面の構造解析(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 22aJB-8 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)に対するCO酸化の反応機構(22aJB 水素ダイナミクス+表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pEA-5 中エネルギーNe^+、N^+入射・弾性反跳による表面水素の検出(24pEA 原子分子(イオン衝突),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 22aWB-13 Si(111)-7×7初期酸化過程の中エネルギーイオン散乱光電子分光分析
• Si(111)表面上Auの初期反応過程
• 高分解能中エネルギーイオン散乱と第一原理計算による3C-SiC(001)-3×2再構成表面の原子構造解析
• 立命館大学 SR センターにおける固体表面研究 -光電子分光 ・ イオン散乱結合ビームライン : SORIS-
• 6aWE-5 動的原子闇ポテンシャル-人射イオン誘起分極効果(放射線物理,領域1)

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