奥村 英樹 | 立命館大理工
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概要
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城戸 義明
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城戸 義明
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立命館大学理工学研究科
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城戸 義明
立命館大・理工
著作論文
- 26aWS-4 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)におけるCO酸化の反応パス(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pRH-12 中エネルギー・ネオン入射による高感度水素検出(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pTH-5 TiO_2(110)のバンドギャップ内に現れるTi3d defect stateの起源(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pEB-3 中エネルギーイオン散乱による立方晶SiC(001)再構成表面の構造解析(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 22aJB-8 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)に対するCO酸化の反応機構(22aJB 水素ダイナミクス+表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pEA-5 中エネルギーNe^+、N^+入射・弾性反跳による表面水素の検出(24pEA 原子分子(イオン衝突),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 高分解能中エネルギーイオン散乱と第一原理計算による3C-SiC(001)-3×2再構成表面の原子構造解析