西村 智朗 | 立命館大理工
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
西村 智朗
立命館大理工
-
城戸 義明
立命館大理工
-
城戸 義明
立命館大 理工
-
星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
-
岡沢 哲晃
立命館大学理工学部物理
-
岡沢 哲晃
立命館大理工
-
城戸 義明
立命館大学理工学部物理科学科
-
星野 靖
立命館大理工
-
城戸 義明
立命館大学理工学部
-
星野 靖
京大工
-
西村 智朗
立命館大学国際関係学部
-
松原 佑典
立命館大理工
-
西村 智朗
立命館大学
-
城戸 義明
立命館大学理工
-
橘堂 恭昌
立命館大理工
-
竹内 史典
立命大学理工
-
福山 亮
立命館大理工
-
松木 征史
立命館大総合理工
-
難波 秀利
立命館大理工
-
竹内 史典
立命館大理工
-
松木 征史
立命館大・総理工
-
秋田 知樹
産総研関西
-
岡沢 哲晃
産総研関西
-
岩本 章信
立命館大理工
-
光原 圭
立命館大理工
-
濱田 遼介
立命館大理工
-
山本 克治
京大工
-
池田 敦
立命館大学
-
小北 哲也
コベルコ科研
-
城戸 義明
立命大理工
-
星野 靖
立命館大学理工
-
佐藤 拓也
立命館大学理工学部物理
-
大川 貴宏
立命館大理工
-
岩本 章伸
立命館大理工
-
濱田 遼介
立命館大学理工学部物理
-
松木 征史
立命館大学理工学部物理
-
西村 智朗
法政大イオンセ
-
池田 敦
立命館大理工
-
松本 悠志
立命館大学理工
-
竹田 純子
立命館大学・理工・物理
-
今井 憲一
京大理
-
中田 俊隆
立命館大理工
-
香山 正憲
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
-
戸崎 充男
京大RIセンター
-
柳下 明
高エ研
-
新井 敏一
京大低温セ
-
福田 昭
兵庫医大
-
澤田 安樹
京大低温セ
-
安江 常夫
大阪電通大
-
越川 孝範
大阪電通大
-
大沢 大輔
放医研
-
中西 繁光
阪府大総合科
-
滝沢 優
東大理
-
五十棲 泰人
京大RIセ
-
香山 正憲
産総研関西
-
滝沢 優
立命館大総研
-
小川 浩二
佐賀大シンクロ
-
松原 明
京大理
-
今井 憲一
京大
-
大澤 大輔
京大riセ
-
大澤 大輔
京大riセンター
-
秋田 知樹
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
-
高橋 義朗
京大理:jst-crest
-
松原 明
京大低温セ
-
池田 真也
京大理
-
西村 智明
法大工
-
中西 繁光
大阪府立大学
-
中西 繁光
大阪府立大、総合科、物質
-
中西 繁光
大阪府立大学総合科学部
-
梅澤 憲司
大阪府立大学大学院理学系研究科物理科学専攻
-
柳下 明
高工研放射光
-
戸崎 充男
京大riセ
-
小川 浩二
立命館大学理工学部
-
小川 浩二
立命館大理工
-
渋谷 誠
立命館大学理工
-
星野 靖
神奈川大学情報
-
橘堂 恭昌
立命館大学理工
-
硲 正明
立命館大学理工
-
小北 哲也
立命館大学理工学部物理
-
小北 哲也
立命館大理工
-
星野 靖
パリ第6・7大学
-
西村 智朗
立命大学理工
-
城戸 義明
立命大学理工
-
星野 靖
京大・工
-
星野 靖
パリ第6-7大学
-
城戸 義明
京大工
-
岩井 秀夫
独立行政法人物質・材料研究機構
-
五十棲 素人
京大RIセ
-
水崎 隆雄
京都大学理学部
-
水崎 隆雄
京都大学理学部第一教室
-
加藤 隆久
京都大学放射性同位元素総合センター 放射線安全管理室
-
宇田 純郎
京大高等教育機構
-
池田 真也
京大物理
-
今井 憲一
原研東海
-
舟橋 春彦
京大高等教育機構
-
加藤 隆久
京大RIセ
-
松木 征史
立命大理工
-
水崎 隆雄
福井大遠赤セ
-
中西 玲於奈
京大物理
-
Saeed M.
京大低温セ
-
高橋 義朗
京大物理
-
井元 健氏
立命館大理工
-
Visikovskiy Anton
立命館大理工
-
榊原 尚
立命館大理工
-
冨田 稔久
立命館大理工
-
井川 秀彦
立命館大理工
-
Naylor Wade
阪大理
-
渋谷 和樹
立命館大理工
-
西澤 健夫
立命館大理工
-
佐藤 拓也
立命館大理工
-
藤原 真秀
立命館大理工
-
仙波 昌平
立命館大理工
-
光原 圭
立命大理工
-
橘堂 恭昌
立命大理工
-
Visikovskiy Anton
立命大理工
-
松本 悠志
立命大理工
-
滝沢 優
立命大理工
-
今井 憲一
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
-
松本 悠志
立命館大理工
-
前田 泰
産総研関西
-
小原 誠
立命館大理工
-
川上 大祐
立命館大理工
-
岩井 秀夫
立命館大理工
-
Y Yan
高工研放射光
-
井元 健氏
立命館大学
-
Visikovskiy Anton
立命館大学理工
-
竹田 純子
立命館大理工
-
岩井 秀夫
立命館大理工:アルバックファイ
-
戸崎 充男
京都大学放射性同位元素総合センター
-
豊田 英司郎
立命館大理工
-
福村 文裕
立命館大理工物理
-
越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
-
岡沢 哲晃
立命館大学理工学部
-
浅見 良信
立命館大理工
著作論文
- 30aRD-8 酸化物・グラファイト上に担持した金ナノ粒子に対する終状態効果(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-6 6H-SiC(0001)3×3再構成表面の構造と初期酸化過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRB-6 中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 25pTE-8 NiAl(110)上に形成された極薄Al_2O_x膜の構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-8 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAI(110)表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXJ-11 6H-SiC{0001}-3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-2 Ni(111)の極薄Au膜成長とO_2,NOの吸着(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-6 6H-SiC(0001)-C終端3×3表面の構造と電子状態(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-10 6H-SiC(1120)清浄表面の酸窒化過程 : 界面の構造とキネティクス(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYC-9 SiC(0001)-3×3表面の構造と電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-5 Ni(0.2-10ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-2 極薄Ni/SiC(0001)表面における2√×2√構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-1 極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-3 極薄Ni/SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(II)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWB-2 極薄Ni/6H-SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(I)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)
- 15pXG-2 極薄 Ni と 6H-SiC(0001) の界面反応過程(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 30aRD-13 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発II(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23PXB-1 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発I(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17pWD-2 中エネルギーイオン散乱・光電子分光によるSi(001)-2xl表面初期酸化過程の研究
- 25pRD-11 高励起^Kおよび^Rbリドベルグ原子のシュタルク特性(25pRD 量子エレクトロニクス(量エレ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRF-4 動的カシミヤ効果検証実験 : 実験計画・装置(23pRF 量子エレクトロニクス(量子光学・量子推定・量子暗号),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 6p-H-8 中エネルギー反跳H検出法によるSi表面水素の分析
- 6p-H-2 立命館大学放射光複合ビームライン : SORIS-II 高分解能中エネルギー散乱
- 28pYH-8 金ナノ粒子とSrTiO_3(001)及びTiO_2(110)基板界面における電荷移動(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXB-4 TiO_2(110)及びSrTiO_3(001)上のAu超微粒子の成長過程と電子状態(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aXK-3 固体表面で散乱された中エネルギーHeイオンの荷電変換過程(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 24aYH-10 Ni(111)面の初期酸化とNiO(111)/Ni(111)表面・界面の構造(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-2 NiO(001)およびTiO_2(110)表面における金ナノ微粒子の成長過程とその電子状態(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aTF-10 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるRbI(001)表面振動相関の検証
- 18pTD-2 中エネルギーHeイオンの大角・単回衝突における荷電変換
- 22aWB-12 SR光電子分光と中エネルギーイオン散乱によるSi(001)-2×2表面の初期酸化過程
- 22aWB-7 イオン散乱法と分子動力学計算によるRbI(001)表面構造解析
- 6p-H-1 立命館大学放射光複合ビームライン : SORIS I 放射光利用光電子分光
- 21pXJ-5 NiSi_2/Si(001)の表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 14pXG-1 Ni-Silicide 反応に伴う Si の表面偏析(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 23pYN-3 中エネルギーHeイオン散乱スペクトルに現れる異常表面ピークの解析
- 28a-XK-8 a-Si/Si(111), SiO_2/Si(001)及びGraphiteからの後方散乱表面ピークの解析
- 27pYF-11 熱処理に伴うNi(IML)Si(111)構造変化過程の(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))