星野 靖 | 京大工
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概要
関連著者
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星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
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星野 靖
京大工
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立命館大 理工
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城戸 義明
立命館大理工
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西村 智朗
立命館大理工
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松原 佑典
立命館大理工
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福山 亮
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立命大学理工
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竹内 史典
立命館大理工
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立命館大学国際関係学部
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産総研ユビキタスエネルギー
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香山 正憲
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産総研ユビキタス
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立命館大学理工学部物理科学科
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大川 貴宏
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京大工
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松原 佑典
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西村 智朗
立命館大学
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竹田 純子
立命館大学・理工・物理
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竹田 純子
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田中 真悟
産総研ユビキタス
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岡崎 一行
産業技術総合研究所
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城戸 義明
立命館大学理工学部
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城戸 義明
立命館大学理工
著作論文
- 26aYC-10 6H-SiC(1120)清浄表面の酸窒化過程 : 界面の構造とキネティクス(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-2 極薄Ni/SiC(0001)表面における2√×2√構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-1 極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-3 極薄Ni/SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(II)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWB-2 極薄Ni/6H-SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(I)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-2 極薄 Ni と 6H-SiC(0001) の界面反応過程(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15pXG-1 6H-SiC(0001)-2×2 Si-rich 清浄表面の構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 14pXG-1 Ni-Silicide 反応に伴う Si の表面偏析(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)