香山 正憲 | 産総研ユビキタスエネルギー
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概要
関連著者
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香山 正憲
産総研ユビキタスエネルギー
-
香山 正憲
産総研ユビキタス
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香山 正憲
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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香山 正憲
産総研
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田中 真悟
産総研ユビキタスエネルギー
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石橋 章司
産総研計算科学
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田中 真悟
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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田中 真悟
産総研ユビキタス
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石橋 章司
産業技術総合研究所計算科学研究部門
-
秋田 知樹
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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秋田 知樹
産業技術総合研
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秋田 知樹
産総研ユビキタスエネルギー
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秋田 知樹
産総研ユビキタス
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神藤 欣一
東京工大総合理工
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香山 正憲
大工研
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田村 友幸
産総研計算科学
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岡崎 一行
阪大工
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石橋 章司
CREST:産総研
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岡崎 一行
産業技術総合研究所
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秋田 知樹
産業技術総合研究所 ユゼキタスエネルギー研究部門
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堀 史説
大阪府立大
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坂本(原田) 晶子
産総研ユビキタスエネルギー
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下條 冬樹
熊大院自然
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星野 公三
広大院総合科
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田口 昇
大阪府大工院
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Hung Vu
ハノイ国立大学
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秋田 知樹
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門
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香山 正憲
産総研関西
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寺倉 清之
北陸先端大融合院
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寺倉 清之
北大創成科学
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Hung V.
国立ハノイ教育大
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Belkada R.
京都府地域結集型共同研究事業コア研究室
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石橋 章司
電総研
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森川 良忠
阪大産研
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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山本 良一
東大生研
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森川 良忠
阪大院工
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吉川 純
阪大・基礎工
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竹田 精治
阪大院理
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田渕 光春
産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門蓄電デバイス研究グループ
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鹿野 昌弘
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門
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橋本 保
産総研
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田村 友幸
東大工
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下篠 冬樹
広大総合
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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Takeda Shingo
Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.
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Shimojo F
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
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Shimojo Fuyuki
Graduate School Of Science And Technology Kumamoto University
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下條 冬樹
Department of Physics, Kumamoto University
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石橋 章司
産総研
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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田渕 光春
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門
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Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
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Takeda Shuzaburo
Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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竹田 精治
大阪大学・産業科学研究所
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鹿野 昌弘
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門蓄電デバイス研究グループ
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堀 史説
大学院工学研究科
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辰巳 国昭
(独)産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門
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田渕 光春
(独)産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門
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香山 正憲
産総研ユビキタス:JST-CREST
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寺倉 清之
北陸先端大
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徳本 圓
防衛大
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石田 洋一
東京工業大学 応用セラミックス研究所
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吉川 暢宏
東京大学生産技術研究所
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吉川 暢宏
東大生研
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田中 寿
産総研
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小林 速男
分子研
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秋田 知樹
産総研
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田中 寿
産総研ナノテク
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徳本 圓
産総研ナノテク
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東 健司
阪府大
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上杉 徳照
阪府大院
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土屋 憲吾
阪府大院
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高津 正憲
阪府大
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堀 史説
大阪府大工院
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石田 洋一
東京大学工学部
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田渕 光春
産総研
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辰巳 国昭
産総研
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吉川 純
産総研
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市野瀬 英喜
東京大学工学系研究科
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寺倉 清之
産総研:北陸先端大
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寺倉 清之
産総研計算科学
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鹿野 昌弘
産総研
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呂 広宏
Univ. of Utah
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小林 昭子
東大院理
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高津 正秀
大阪府立大学大学院工学研究科マテリアル工学分野
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高津 正秀
大阪府立大学大学院工学研究科物質系専攻
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白川 善幸
同志社大工
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Hung V.V.
国立ハノイ教育大
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橋本 保
産総研計算科学
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香山 正憲
産総研生活環境
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香山 正憲
産総研計算科学
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市野瀬 英喜
東大工
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石田 洋一
東大工
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高津 正秀
大阪府大院
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森州 良忠
阪大産研
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田口 昇
阪府大院工
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堀 史説
阪府大院工
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市野瀬 英喜
東大工学部
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Higashi Kenji
Department Of Metallurgy And Materials Science Osaka Prefecture University
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鯉沼 秀臣
(独)科学技術振興機構 研究開発戦略センター
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ベルカダ ラシード
Jst-kept:同志社大工
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田中 慎吾
産総研
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DMITRIEV Sergey
物質・材料研究機構
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日高 重助
同志社大工
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上杉 徳照
大阪府大工
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Dmitriev Sergey
Department Of Applied Physics And Chemistry University Of Electro-communications:(permanent) Departm
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Higashi Kenji
Department Of Metallurgy And Materials Science College Of Engineering Osaka Prefecture University
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椎原 良典
産総研計算科学:東大生研
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田中 寿
産総研ナノシステム
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堀 史説
大阪府大工
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大野 隆央
東大生研
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吉田 秀人
大阪大学大学院理学研究科
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河野 日出夫
大阪大学大学院理学研究科
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春田 正毅
首都大学東京都市環境学部
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日高 重助
同志社大学 理工学部 化学システム創成工学科
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小林 速男
日大文理
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森川 良忠
産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体
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城戸 義明
立命館大理工
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東辻 浩夫
岡山大工
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岡崎 一行
産総研ユビキタス
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河野 日出夫
阪大院理
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吉田 秀人
阪大院理
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椎原 良典
産総研計算科学
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鶴田 健二
岡山大工
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橋本 保
名工研
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星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
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星野 靖
京大工
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堀 史説
阪府大工
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濱田 智之
東大生研
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呂 広宏
東大生研
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東辻 千枝子
岡山大工
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香山 正憲
大阪工技研
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石橋 章司
電総大
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Manuel A.Alfred
ジュネーブ大
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Vasumathi Dharmavaram
ジュネーブ大
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Shukla Abhay
ESRF
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Suortti Pekka
ESRF
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Bechgaard Klaus
リソ国立研
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Manuel Alfred
ジュネーブ大
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中之瀬 恩
日産
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寺倉 清之
Jrcat 産業技術融合領域研究所
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東辻 浩夫
岡山大
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東辻 千技子
工学院大
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東辻 千枝子
岡山大工・物性理論研究室
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岡崎 一行
CRESR JST
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城戸 義明
立命館大 理工
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中之瀬 恩
日産自動車
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半谷 禎彦
群大工
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半谷 禎彦
群馬大学大学院工学研究科
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椎原 良典
東大・生産研
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楊 鋭
オーストラリア国立大
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ドミトリエフ セルゲイ
東大生研
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ドミトリエフ セルゲイ
物材機構
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楊 鋭
産総研
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春田 正毅
首都大東京
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吉川 純
産総研ユビキタスエネ
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田渕 光春
産総研ユビキタスエネ
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鹿野 昌弘
産総研ユビキタスエネ
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辰巳 国昭
産総研ユビキタスエネ
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昇 史説
大阪府大工院
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Belkada Rachid
JST-KEPT
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Belkada Rachid
Kyoto Prefecture Collaboration of Regional Entities for the Advancement of Technological Excellence,
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岡崎 一行
阪大理
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奥村 光隆
阪大理
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小林 明子
上智大理工
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白川 善幸
Department Of Chemical Engineering And Materials Science Doshisha University
-
奥村 光隆
阪大院理
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田中 真悟
産総研
著作論文
- 23aHS-2 電子線エネルギー損失分光スペクトルとそのEdge Threshold Energyの第一原理計算(23aHS 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aHT-6 ナノ構造化グラファイトに結合した水素の第一原理分子動力学シミュレーション(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aGP-5 第一原理計算による金表面での酸素原子吸着構造(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGL-5 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 228 第一原理計算を用いたアルミニウムΣ=5(001) 粒界におけるすべり方位による変形挙動の解析
- 27pYG-8 Al(111)表面の第一原理局所応力計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aXT-10 第一原理計算による酸化物ガラス中の欠陥の理論研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 22aXA-10 第一原理計算による酸化物ガラス中の欠陥の原子構造と電子状態
- 18pXB-2 界面を含む系での応力・誘電率の微視的分布および電歪の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29pTE-8 分子性固体の第一原理電子状態計算における有効クーロン相互作用Uの導入効果(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTD-8 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の水素・炭化水素の結合状態(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aPS-73 Pt_/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28aRF-10 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-1 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23aTG-3 グラフェンのエッジに結合した水素・炭化水素の第一原理分子動力学シミュレーション(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aYF-3 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算IV(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-14 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算III(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXB-11 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算II(強度、破壊)の計算II(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 第一原理計算によるガラス中の欠陥の研究 (特集 ガラス・フォトニクス材料の最近の動向)
- 26aYK-16 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pXD-9 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算III(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19aYN-5 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算II(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pWB-5 単一成分分子性導体の第一原理電子状態計算(陽ラジカル塩,単一成分系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pYM-3 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 27pWL-7 第一原理計算による(BEDT-TTF)_2I_3の結晶構造予測(ET塩(α・β・θ型))(領域7)
- 21pXE-11 Ni(tmdt)_2 のフェルミ面形状の第一原理計算・磁気量子振動実験結果との比較
- 31pYG-7 第一原理計算による SiO_2 および GeO_2 中の欠陥の原子構造と電子状態
- 28aZA-3 第一原理計算による分子性固体の構造最適化
- 20aWF-13 第一原理計算によるTTF-TCNQの構造最適化と一軸性圧縮の電子構造への影響の研究
- 30aYT-3 β-C_3N_4の最安定構造の第一原理計算
- 27pCX-5 C_結晶における電子-陽電子対運動量密度分布の第一原理計算
- 23aYG-1 第一原理計算によるTTF-TCNQの構造最適化
- 25aY-7 炭化珪素のTBMD計算 : 微粒子焼結とTBパラメータ抽出
- 22pR-1 TTF-TCNQ,TSF-TCNQの第一原理バンド計算
- 24pYA-5 コンプトン散乱法によるTTF-TCNQの電子運動量分布の研究
- 29a-XB-1 有機伝導体の第一原理擬ポテンシャルバンド計算
- 28p-YC-1 SI中の結晶粒界の理論的研究 : 安定な粒界構造の支配因子
- 2p-YG-4 ダイアモンド中の結晶粒界の原子配列とエネルギーII-Σ=9粒界における相対並進の効果
- 28p-P-12 ダイアモンド中の結晶粒界の原子配列とエネルギー : Si中の結晶粒界との比較
- 29pTE-4 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pTD-14 第一原理PAW法によるAu@Pdコア・シェル微粒子の原子構造と吸着子の局所的な反応性(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-14 第一原理PAW法によるAu-Pdコア・シェル微粒子の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aWY-4 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の炭化水素の動的性質(24aWY 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 25aWS-10 エチレンを吸着したAu-Pdスラブの第一原理計算による評価(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pWA-3 リチウムイオン電池電極材料におけるLi濃度分布の可視化(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26aYF-10 Li-ion電池正極材料Li_Mn_Fe_O_2ナノ粒子の初期充放電過程解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 303 金属/セラミクス界面のマルチスケール強度解析(GS6 き裂3)
- 金属/セラミクス界面のマルチスケールモデル(OS3-6 変態、モデリング,OS3 先端機能性構造材料の力学的挙動に関する数理解析とマルチスケールアナリシスへの進展)
- 25aWS-6 金表面上の酸素・一酸化炭素の共吸着構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aXC-3 リチウムイオン二次電池正極材料・Fe含有Li_2MnO_3の結晶構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aPS-22 Electronic Structures of Cyclic and Acyclic Molecules On Metal by First-principles Calculations
- 24aYC-3 Ab Initio Study of Organic/Metal Interfaces: n-Alkane Molecules on Aluminum
- 29pXD-9 第一原理計算による貴金属ナノ微粒子のコア・シェル界面電子構造(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 803 第一原理計算によるアルミニウムの対応粒界すべりの研究
- 27pTJ-4 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の炭化水素の動的性質II(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(炭素・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 1006 第一原理計算による積層欠陥の局所エネルギー解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2:局所性),オーガナイズドセッション)