22pR-1 TTF-TCNQ,TSF-TCNQの第一原理バンド計算

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2000-03-10

著者

• 石橋 章司

  産業技術総合研究所計算科学研究部門

• 香山 正憲

  産総研ユビキタスエネルギー

• 石橋 章司

  産総研計算科学

• 香山 正憲

  大工研

• 石橋 章司

  電総研

関連論文

• 23aHS-2 電子線エネルギー損失分光スペクトルとそのEdge Threshold Energyの第一原理計算(23aHS 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aHT-6 ナノ構造化グラファイトに結合した水素の第一原理分子動力学シミュレーション(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aGP-5 第一原理計算による金表面での酸素原子吸着構造(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aGL-5 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGT-3 単一成分分子性導体Cu(tmdt)_2の有効モデルとp-d混成(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aGT-2 新単一分子性導体Cu(tmdt)_2の第一原理電子状態計算(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• 20pGS-15 第一原理計算によるカーボンナノチューブの熱伝導率IV(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYD-5 ピセン結晶の電子状態の第一原理計算(新物質・新物性・超伝導I,領域7,分子性固体・有機導体)
• 228 第一原理計算を用いたアルミニウムΣ=5(001) 粒界におけるすべり方位による変形挙動の解析
• 27pYG-8 Al(111)表面の第一原理局所応力計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aXT-10 第一原理計算による酸化物ガラス中の欠陥の理論研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 22aXA-10 第一原理計算による酸化物ガラス中の欠陥の原子構造と電子状態
• 25aYG-4 LaAlO_3/SrTiO_3超格子における局所電子分極率の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aRK-3 電子をドープしたCaMnO_3の磁気秩序における格子歪みの効果(マンガン酸化物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 28pTA-14 FeAsモデル物質における構造と電子状態の相関(28pTA 鉄砒素超伝導体4(NMR),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pWA-4 LaAlO_3/SrTiO_3積層薄膜におけるpolar discontinuityのスクリーニング機構の第一原理計算による解析(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23pXA-7 金属/TiO_2界面の構造とその特性の第一原理計算(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYA-4 LaFeAsO母物質とフッ素ドープ,酸素欠損の第一原理電子状態計算(21pYA 領域8シンポジウム:鉄化合物新超伝導体の物理,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pTD-8 第一原理計算によるLaAlO_3/SrTiO_3積層構造の電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pRB-4 Au(tmdt)2の電子構造と反強磁性状態(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 18pXB-2 界面を含む系での応力・誘電率の微視的分布および電歪の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 29pTE-8 分子性固体の第一原理電子状態計算における有効クーロン相互作用Uの導入効果(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTD-8 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の水素・炭化水素の結合状態(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aPS-73 Pt_/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28aRF-10 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-1 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23aTG-3 グラフェンのエッジに結合した水素・炭化水素の第一原理分子動力学シミュレーション(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aYF-3 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算IV(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-14 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算III(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-11 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算II(強度、破壊)の計算II(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 第一原理計算によるガラス中の欠陥の研究 (特集 ガラス・フォトニクス材料の最近の動向)
• 26aYK-16 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pXD-9 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算III(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 19aYN-5 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算II(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pWB-5 単一成分分子性導体の第一原理電子状態計算(陽ラジカル塩,単一成分系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pYM-3 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 27pWL-7 第一原理計算による(BEDT-TTF)_2I_3の結晶構造予測(ET塩(α・β・θ型))(領域7)
• 21pXE-11 Ni(tmdt)_2 のフェルミ面形状の第一原理計算・磁気量子振動実験結果との比較
• 31pYG-7 第一原理計算による SiO_2 および GeO_2 中の欠陥の原子構造と電子状態
• 28aZA-3 第一原理計算による分子性固体の構造最適化
• 20aWF-13 第一原理計算によるTTF-TCNQの構造最適化と一軸性圧縮の電子構造への影響の研究
• 30aYT-3 β-C_3N_4の最安定構造の第一原理計算
• 27pCX-5 C_結晶における電子-陽電子対運動量密度分布の第一原理計算
• 23aYG-1 第一原理計算によるTTF-TCNQの構造最適化
• 25aY-7 炭化珪素のTBMD計算 : 微粒子焼結とTBパラメータ抽出
• 22pR-1 TTF-TCNQ,TSF-TCNQの第一原理バンド計算
• 24pYA-5 コンプトン散乱法によるTTF-TCNQの電子運動量分布の研究
• 29a-XB-1 有機伝導体の第一原理擬ポテンシャルバンド計算
• 28p-YC-1 SI中の結晶粒界の理論的研究 : 安定な粒界構造の支配因子
• 2p-YG-4 ダイアモンド中の結晶粒界の原子配列とエネルギーII-Σ=9粒界における相対並進の効果
• 28p-P-12 ダイアモンド中の結晶粒界の原子配列とエネルギー : Si中の結晶粒界との比較
• 29pTD-3 β-A_V_2O_5の有効モデルと金属絶縁体転移(29pTD V酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19aRA-3 単一成分分子性金属Ni(tmdt)_2およびAu(tmdt)_2の電子状態(dmit,理論,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pTE-4 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pTD-14 第一原理PAW法によるAu@Pdコア・シェル微粒子の原子構造と吸着子の局所的な反応性(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19pXB-14 第一原理PAW法によるAu-Pdコア・シェル微粒子の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27a-H-12 無限層ACuO_2及び関連物質における陽電子消滅
• 28p-APS-53 Cu_6O_8MX(M=In,Ca,Sr,Ba,X=Cl)の合成及び物性評価
• 24aWY-4 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の炭化水素の動的性質(24aWY 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• カーボン・ナノチューブ・バンドルにおける陽電子状態の計算 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
• シリコン酸化表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光及び陽電子寿命測定
• 有機伝導体における陽電子消滅 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
• 25aWS-10 エチレンを吸着したAu-Pdスラブの第一原理計算による評価(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aRA-4 第一原理計算によるカーボンナノチューブの熱伝導率V(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYK-5 金属粒界の界面結合と機械的性質の第一原理解析(シミュレーション,転位,点欠陥・照射損傷),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• AlとCuの傾角粒界とねじり粒界の安定性と界面結合の第一原理計算
• 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-2 局所エネルギー密度・応力密度による金属粒界の機械的性質の第一原理解析(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 金属中の結晶粒界の機械的性質の第一原理計算 : 局所エネルギー密度・応力密度を用いた解析
• 23pYF-4 金属中の結晶粒界の構造と機械的性質の第一原理計算 : 局所エネルギー密度・応力密度による解析(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 805 金属粒界の機械的性質の第一原理計算 : エネルギー密度と応力密度による解析(OS08.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2))
• 21pWA-3 リチウムイオン電池電極材料におけるLi濃度分布の可視化(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26aYF-10 Li-ion電池正極材料Li_Mn_Fe_O_2ナノ粒子の初期充放電過程解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pZL-5 低次元有機導体の電子運動量分布
• 29a-A-8 C_における陽電子消滅γ線運動量分布の計算
• BEDT-TTF系有機超伝導体における陽電子消滅
• 1p-B-2 陽電子消滅法によるTTF-TCNQのフェルミ面の研究
• 303 金属/セラミクス界面のマルチスケール強度解析(GS6 き裂3)
• 金属/セラミクス界面のマルチスケールモデル(OS3-6 変態、モデリング,OS3 先端機能性構造材料の力学的挙動に関する数理解析とマルチスケールアナリシスへの進展)
• 25aWS-6 金表面上の酸素・一酸化炭素の共吸着構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aXC-3 リチウムイオン二次電池正極材料・Fe含有Li_2MnO_3の結晶構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aPS-22 Electronic Structures of Cyclic and Acyclic Molecules On Metal by First-principles Calculations
• 24aYC-3 Ab Initio Study of Organic/Metal Interfaces: n-Alkane Molecules on Aluminum
• 29pXD-9 第一原理計算による貴金属ナノ微粒子のコア・シェル界面電子構造(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aXP-12 YNiO_3における格子定数-電子状態の相関の第一原理計算(25aXP 理論(多軌道系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 803 第一原理計算によるアルミニウムの対応粒界すべりの研究
• 27pTJ-4 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の炭化水素の動的性質II(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(炭素・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 1006 第一原理計算による積層欠陥の局所エネルギー解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2:局所性),オーガナイズドセッション)
• 202 第一原理計算法に基づく局所応力計算法の検証(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
• 201 金属粒界の強度特性の第一原理解析 : Al粒界とCu粒界(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
• 26pCL-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理計算 : 金属粒界への適用(26pCL 格子欠陥・ナノ構造・フォノン(金属・ナノ粒子・点欠陥・水素材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pAH-9 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属の粒界・欠陥への適用(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pXS-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属粒界や異相界面への適用(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pXF-9 電子型強誘電性を示すTTF-CAの分子の電子状態の研究(27pXF 装置開発,中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク