石橋 章司 | 産総研計算科学
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概要
関連著者
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石橋 章司
産総研計算科学
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石橋 章司
産総研
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石橋 章司
産業技術総合研究所計算科学研究部門
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石橋 章司
電総研
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産総研ユビキタスエネルギー
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産総研計算科学
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北陸先端大融合院
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石橋 章司
CREST:産総研
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田中 真悟
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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香山 正憲
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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石橋 章司
産総研ナノシステム
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北陸先端大
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電総研
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伊原 英雄
電総研
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木下 信盛
電総研
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田村 友幸
産総研・計算科学
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産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門
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徳本 円
電総研
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椎原 良典
産総研計算科学:東大生研
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田中 康資
電総研
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田中 真悟
産総研ユビキタスエネルギー
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寺田 教男
鹿児島大工:電総研:crest
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香山 正憲
産総研ユビキタス
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田中 真悟
産総研ユビキタス
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妹尾 仁嗣
理研基幹研:crest-jst
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寺倉 清之
産総研計算科学
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寺倉 清之
北大創成科学
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寺田 教男
電総研
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香山 正憲
大工研
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石橋 章司
産総研・計算科学
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産総研・ユビキタス
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東理大理
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分子研
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妹尾 仁嗣
原子力機構播磨
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徳本 圓
産総研ナノテク
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香山 正憲
産総研・ユビキタス
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田中 真悟
産総研・ユビキタス
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木下 タツエ
電総研
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香山 正憲
産総研
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香山 正憲
産総研計算科学
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伏木 誠
産総研
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木下 タツエ
産総研ナノテク
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椎原 良典
産総研・計算科学
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木下 タツエ
フロリダ州立大
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小林 明子
上智大理工
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小林 昭子
日大文理
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小林 速男
日大文理
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徳本 圓
防衛大
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田中 寿
産総研
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大柳 宏之
電総研
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田中 寿
産総研ナノテク
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寺倉 清之
産総研:北陸先端大
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岡野 芳則
分子研
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橋本 保
産総研
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前田 弘
金材研
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小林 昭子
東大院理
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平林 正之
電総研
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橋本 保
産総研計算科学
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香山 正憲
産総研生活環境
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椎原 良典
東大・生産研
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田村 友幸
産業技術総合研究所計算科学研究部門
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関根 久
帝京大理工
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小林 真帆
東邦大理
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香山 正憲
産業技術総合研究所
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田中 寿
産総研ナノシステム
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田中 真悟
産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門
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田中 真悟
産総研
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田中 真悟
産業技術総合研究所
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青木 秀夫
東京大学理学系研究科
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科
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有田 亮太郎
東大工
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三宅 隆
産総研計算科学
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小杉 太一
東大院理
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寺倉 清之
産総研
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有田 亮太郎
東大工:js-crest
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福山 秀敏
東理大総合研
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三宅 隆
産総研:js-crest
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青木 秀夫
東大理:jst-trip
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青木 秀夫
東大院理
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妹尾 仁嗣
理研基幹研,CREST-JST
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椎原 良典
産総研計算科学
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塚原 宙
産総研計算科学
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翁 紅明
JST,CREST
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産総研:crest
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石橋 章司
電総大
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Manuel A.Alfred
ジュネーブ大
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Vasumathi Dharmavaram
ジュネーブ大
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Shukla Abhay
ESRF
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Suortti Pekka
ESRF
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Bechgaard Klaus
リソ国立研
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Manuel Alfred
ジュネーブ大
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大塚 雄一
兵県大物質理
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大塚 雄一
理研基幹研:jst-crest
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前田 弘
北見工業大学
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寺倉 清之
Jrcat 産業技術融合領域研究所
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塚原 宙
産総研計算科学:jst Crest
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田中 真悟
産総研関西セ
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武士田 健一
ユニチカ
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金子 啓二
電総研
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George ZOUGANELIS
電総研
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斎藤 繁喜
産総研・ユビキタス
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Wang Ruzhi
産総研関西センター・ユビキタス
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Manuel Alfred
ジュネーヴ大
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Hoffmann Ludger
ジュネーヴ大
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寺田 敦男
電総研
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井原 英雄
電総研
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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三宅 隆
東大物性研
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翁 紅明
Jst Crest:北陸先端大
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妹尾 仁嗣
理研基幹研
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香山 正憲
産総研計算科学:産総研生活環境
著作論文
- 23aHS-2 電子線エネルギー損失分光スペクトルとそのEdge Threshold Energyの第一原理計算(23aHS 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aGT-3 単一成分分子性導体Cu(tmdt)_2の有効モデルとp-d混成(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGT-2 新単一分子性導体Cu(tmdt)_2の第一原理電子状態計算(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGS-15 第一原理計算によるカーボンナノチューブの熱伝導率IV(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYD-5 ピセン結晶の電子状態の第一原理計算(新物質・新物性・超伝導I,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27pYG-8 Al(111)表面の第一原理局所応力計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYG-4 LaAlO_3/SrTiO_3超格子における局所電子分極率の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aRK-3 電子をドープしたCaMnO_3の磁気秩序における格子歪みの効果(マンガン酸化物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 28pTA-14 FeAsモデル物質における構造と電子状態の相関(28pTA 鉄砒素超伝導体4(NMR),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pWA-4 LaAlO_3/SrTiO_3積層薄膜におけるpolar discontinuityのスクリーニング機構の第一原理計算による解析(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pXA-7 金属/TiO_2界面の構造とその特性の第一原理計算(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYA-4 LaFeAsO母物質とフッ素ドープ,酸素欠損の第一原理電子状態計算(21pYA 領域8シンポジウム:鉄化合物新超伝導体の物理,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pTD-8 第一原理計算によるLaAlO_3/SrTiO_3積層構造の電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pRB-4 Au(tmdt)2の電子構造と反強磁性状態(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pXB-2 界面を含む系での応力・誘電率の微視的分布および電歪の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29pTE-8 分子性固体の第一原理電子状態計算における有効クーロン相互作用Uの導入効果(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 第一原理計算によるガラス中の欠陥の研究 (特集 ガラス・フォトニクス材料の最近の動向)
- 21pWB-5 単一成分分子性導体の第一原理電子状態計算(陽ラジカル塩,単一成分系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pWL-7 第一原理計算による(BEDT-TTF)_2I_3の結晶構造予測(ET塩(α・β・θ型))(領域7)
- 21pXE-11 Ni(tmdt)_2 のフェルミ面形状の第一原理計算・磁気量子振動実験結果との比較
- 28aZA-3 第一原理計算による分子性固体の構造最適化
- 20aWF-13 第一原理計算によるTTF-TCNQの構造最適化と一軸性圧縮の電子構造への影響の研究
- 27pCX-5 C_結晶における電子-陽電子対運動量密度分布の第一原理計算
- 23aYG-1 第一原理計算によるTTF-TCNQの構造最適化
- 22pR-1 TTF-TCNQ,TSF-TCNQの第一原理バンド計算
- 24pYA-5 コンプトン散乱法によるTTF-TCNQの電子運動量分布の研究
- 29pTD-3 β-A_V_2O_5の有効モデルと金属絶縁体転移(29pTD V酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aRA-3 単一成分分子性金属Ni(tmdt)_2およびAu(tmdt)_2の電子状態(dmit,理論,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27a-H-12 無限層ACuO_2及び関連物質における陽電子消滅
- 28p-APS-53 Cu_6O_8MX(M=In,Ca,Sr,Ba,X=Cl)の合成及び物性評価
- 有機伝導体における陽電子消滅 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
- 23aRA-4 第一原理計算によるカーボンナノチューブの熱伝導率V(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYK-5 金属粒界の界面結合と機械的性質の第一原理解析(シミュレーション,転位,点欠陥・照射損傷),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- AlとCuの傾角粒界とねじり粒界の安定性と界面結合の第一原理計算
- 22pWA-2 局所エネルギー密度・応力密度による金属粒界の機械的性質の第一原理解析(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 金属中の結晶粒界の機械的性質の第一原理計算 : 局所エネルギー密度・応力密度を用いた解析
- 23pYF-4 金属中の結晶粒界の構造と機械的性質の第一原理計算 : 局所エネルギー密度・応力密度による解析(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 805 金属粒界の機械的性質の第一原理計算 : エネルギー密度と応力密度による解析(OS08.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2))
- 22pZL-5 低次元有機導体の電子運動量分布
- 29a-A-8 C_における陽電子消滅γ線運動量分布の計算
- BEDT-TTF系有機超伝導体における陽電子消滅
- 1p-B-2 陽電子消滅法によるTTF-TCNQのフェルミ面の研究
- 29a-YG-11 陽電子のバンド質量の計算
- 28a-YK-8 ドープしたC_の金属スピン状態
- 13p-B-12 ドープしたC_の超伝導と磁気的性質
- 13p-B-9 ドープしたC_のESR IV
- 29p-C-11 ハロゲンドープC_の磁気特性と構造 III
- 31p-D-7 アルカリドープC_結晶における陽電子分布・寿命の計算
- 27a-K-2 BEDT-TTF系超伝導体における陽電子状態 : フェルミオロジーとの関係
- 27a-J-13 ハロゲンドープC_の磁気特性と構造II
- 27a-J-7 陽電子消滅法によるフラーレンのキャラクタリゼーション
- 29pYH-9 第一原理計算によるカーボンナノチューブの熱伝導率III(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 陽電子消滅法によるアルカリド-プC60の評価 (フラ-レン)
- 1006 第一原理計算による積層欠陥の局所エネルギー解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2:局所性),オーガナイズドセッション)
- 202 第一原理計算法に基づく局所応力計算法の検証(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
- 201 金属粒界の強度特性の第一原理解析 : Al粒界とCu粒界(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
- 25pXM-6 TTF-CAの中性相・イオン相の第一原理電子構造計算(25pXM ET-TCNQ系・新物質(中性イオン性転移・実験技術を含む),領域7(分子性固体・有機導体分野))