18pXB-2 界面を含む系での応力・誘電率の微視的分布および電歪の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-02-28

著者

• 田中 真悟

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 香山 正憲

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 石橋 章司

  産業技術総合研究所計算科学研究部門

• 田中 真悟

  産総研ユビキタスエネルギー

• 香山 正憲

  産総研ユビキタスエネルギー

• 田村 友幸

  産総研計算科学

• 石橋 章司

  産総研計算科学

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス

• 寺倉 清之

  北陸先端大融合院

• 寺倉 清之

  北大創成科学

• 田中 真悟

  産総研ユビキタス

• 石橋 章司

  CREST:産総研

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• 27pXS-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属粒界や異相界面への適用(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム吸蔵/脱離二相界面の原子・電子構造(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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• 25aKA-5 第一原理計算によるLi_2TiO_3の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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