23aTD-10 グラフェン上に吸着したPtクラスターの原子構造(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 田中 真悟

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 香山 正憲

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 田中 真悟

  産総研ユビキタスエネルギー

• 森川 良忠

  阪大院工

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタスエネルギー

• 岡崎 一行

  阪大工

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 森州 良忠

  阪大産研

• 岡崎 一行

  JST-CREST

• 森川 良忠

  JST-CREST

• 前田 泰

  産総研ユビキタス

• 香山 正憲

  JST-CREST

• 前田 泰

  産総研関西

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 秋田 知樹

  産業技術総合研

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタス

• 田中 真悟

  産総研ユビキタス

• 岡崎 一行

  産業技術総合研究所

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• 19pAR-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム表面の原子・電子構造(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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• 27pXS-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属粒界や異相界面への適用(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム吸蔵/脱離二相界面の原子・電子構造(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 801 局所エネルギー密度・応力密度による結晶粒界の第一原理解析(OS8.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),OS・一般セッション講演)
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• 25aKA-6 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 鉄粒界への適用(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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