秋田 知樹 | 産総研ユビキタス
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概要
関連著者
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秋田 知樹
産総研ユビキタス
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秋田 知樹
産総研ユビキタスエネルギー
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秋田 知樹
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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秋田 知樹
産業技術総合研
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田中 真悟
産総研ユビキタス
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田中 真悟
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
-
田中 真悟
産総研ユビキタスエネルギー
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香山 正憲
産総研ユビキタス
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堀 史説
大阪府立大
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香山 正憲
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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田口 昇
大阪府大工院
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秋田 知樹
産業技術総合研究所 ユゼキタスエネルギー研究部門
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香山 正憲
産総研ユビキタスエネルギー
-
堀 史説
大阪府大工院
-
秋田 知樹
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門
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堀 史説
大阪府大工
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
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Takeda Shuzaburo
Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University
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竹田 精治
大阪大学・産業科学研究所
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堀 史説
大学院工学研究科
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吉田 秀人
大阪大学大学院理学研究科
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河野 日出夫
大阪大学大学院理学研究科
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岩瀬 彰宏
大阪府立大
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竹田 精治
阪大院理
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河野 日出夫
阪大院理
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Takeda Shingo
Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.
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岩瀬 彰宏
大阪府大工
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前田 泰
産総研ユビキタス
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前田 泰
産総研関西
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岩瀬 彰宏
大阪府大院工
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吉田 秀人
阪大院理
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堀 史説
阪府大工
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田村 友幸
名工大創成シミュ
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橘田 晃宣
産総研ユビキタスエネルギー
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内山 徹也
大阪大学大学院理学研究科
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春田 正毅
首都大学東京都市環境学部
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岩井 岳夫
東大院工
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岩瀬 彰宏
阪府大工
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岩瀬 彰宏
原研物理
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小嶋 崇夫
大阪府大産学官連携機構(放射線研究セ)
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長谷 直基
大阪府大工
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田口 昇
阪府大院工
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堀 史説
阪府大院工
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岡本 晃彦
阪府大工
-
田口 昇
阪府大工
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内山 徹也
阪大院理
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春田 正毅
首都大東京
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桑内 康文
阪大院理
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昇 史説
大阪府大工院
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吉田 秀人
阪大産研
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竹田 精治
阪大産研
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岡崎 一行
産業技術総合研究所
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島田 悟史
首都大学東京都市環境学部
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堀 史説
大阪府大院工
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森川 良忠
阪大院工
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吉川 純
阪大・基礎工
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岡崎 一行
阪大工
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田渕 光春
産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門蓄電デバイス研究グループ
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鹿野 昌弘
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門
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広木 大栄
大阪府大工院
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前田 修大
大阪府大工院
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小嶋 崇夫
大阪府大放射線研究センタ
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森州 良忠
阪大産研
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田口 昇
大阪府大院工
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鬼塚 貴志
東大院工
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岡崎 一行
JST-CREST
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森川 良忠
JST-CREST
-
香山 正憲
JST-CREST
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山本 正明
阪府大工
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田渕 光春
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門
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吉川 純
産総研ユビキタスエネ
-
田渕 光春
産総研ユビキタスエネ
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鹿野 昌弘
産総研ユビキタスエネ
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辰巳 国昭
産総研ユビキタスエネ
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岡崎 一行
阪大理
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前田 修大
阪府大工
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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鹿野 昌弘
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門蓄電デバイス研究グループ
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松浦 公治
阪大院理
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[クワ]うち 康文
阪大産研
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島田 悟史
首都大東京
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永田 光一郎
阪府大工
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うち 康文
阪大産研
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辰巳 国昭
(独)産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門
-
田渕 光春
(独)産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門
-
松本 一
産総研ユビキタス
-
Valencia Hubert
産総研ユビキタス
-
Sun Keju
産総研ユビキタス
-
前田 泰
産総研ユビキタスエネルギー
著作論文
- 20aGL-5 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXD-8 超音波照射により作成したAuPdナノ微粒子の構造評価(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pPSA-44 超音波照射法により作成したコアシェルAu-Pdナノ微粒子の表面・界面構造と電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pXB-12 超音波照射法により作成したコアシェル型Au-Pd超微粒子の構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYK-1 超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子の構造と電子状態(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pTE-4 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pTD-14 第一原理PAW法によるAu@Pdコア・シェル微粒子の原子構造と吸着子の局所的な反応性(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-15 Au-Pd二層スラブ構造における電子状態の第一原理計算による評価(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-13 二層分離型Au-Pd界面構造および電子状態の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-14 第一原理PAW法によるAu-Pdコア・シェル微粒子の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aPS-29 超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子表面近傍の電子状態の陽電子消測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aTD-10 グラフェン上に吸着したPtクラスターの原子構造(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pWZ-9 γ線照射還元により生成したAu-Pd二元系ナノ微粒子の構造評価(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 25aWS-10 エチレンを吸着したAu-Pdスラブの第一原理計算による評価(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pWA-3 リチウムイオン電池電極材料におけるLi濃度分布の可視化(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pXD-9 第一原理計算による貴金属ナノ微粒子のコア・シェル界面電子構造(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pPSA-32 電子線照射と反応ガスによるAu/TiO_2触媒の形状変化の環境TEM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTG-5 Pt/CeO_2触媒のガス種に依存した形状変化の環境TEM観察(26aTG 微粒子・クラスター・ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pBB-6 金属/無機ナノヘテロ界面の原子・電子挙動 : 金触媒とLiイオン電池(25pBB 領域10,領域9合同シンポジウム:エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aAB-2 γ線照射還元反応を用いたAuPd二元系ナノロッドの創成(24aAB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pAR-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム表面の原子・電子構造(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム吸蔵/脱離二相界面の原子・電子構造(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25aKA-5 第一原理計算によるLi_2TiO_3の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))