河野 日出夫 | 阪大院理
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概要
関連著者
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河野 日出夫
阪大院理
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河野 日出夫
大阪大学大学院理学研究科
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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吉田 秀人
大阪大学大学院理学研究科
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Takeda Shuzaburo
Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University
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竹田 精治
大阪大学・産業科学研究所
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吉田 秀人
阪大院理
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
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Takeda Shingo
Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.
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市川 聡
産業技術総合研究所
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市川 聡
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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市川 聡
大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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秋田 知樹
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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市川 聡
阪大ナノ機構
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内山 徹也
大阪大学大学院理学研究科
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秋田 知樹
産総研ユビキタスエネルギー
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内山 徹也
阪大院理
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秋田 知樹
産業技術総合研
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秋田 知樹
産総研ユビキタス
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首都大学東京都市環境学部
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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春田 正毅
首都大東京
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尾崎 信彦
阪大院理
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吉田 秀人
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竹田 精治
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大野 裕
阪大院理
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市川 聡
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桑内 康文
阪大院理
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秋田 知樹
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門
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岩崎 敏文
阪大院理
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大野 裕
東北大金研
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香山 正憲
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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島田 悟史
首都大学東京都市環境学部
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香山 正憲
産総研ユビキタス
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野上 隆文
阪大院理
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高尾 修平
阪大院理
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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松浦 公治
阪大院理
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島田 悟史
首都大東京
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小峯 拓也
阪大院理
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市川 聡
阪大INSD
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田中 孝治
産総研関西セ
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長谷川 駿行
阪大院理
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阪大院理
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松岡 顕
阪大院理
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千葉大理
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森 祐揮
阪大理物
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米永 一郎
東北大
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吉川 純
阪大院理
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秋田 知樹
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市川 聡
阪大院理
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正田 薫
阪大理
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日本エフイー・アイ
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名古屋大学理工科学総合研究センター
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阪大院理
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尾崎 信彦
筑波大院 数理物質科学研究科
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Nagoya Univ. Naogya Jpn
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清水 拓真
阪大院理
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阪大院理
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山崎 順
阪大院理
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阪大院理
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阪大院理
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阪大院理
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正田 薫
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Okigawa Yuki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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阪大産研:阪大院理
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表 宏樹
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阪大院理
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Mor Yuhki
Osaka Univ.
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山崎 順
名大院工
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長谷川 駿行
阪大理
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堀野 裕治
産総研関西セ
著作論文
- 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pWA-10 SiCナノワイヤにおける積層シーケンスの統計的性質(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pPSB-2 コンペイトウ型SiC粒子の生成 : ナノワイヤ成長からの遷移(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXM-2 SiCナノワイヤーの電子線ホログラフィー(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 22aXA-3 SiC 一次元ナノ構造の内部ポテンシャル
- 21aYE-4 ヘテロ接合ナノワイヤの内部ポテンシャル測定
- 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aYK-3 有機ガスの電子エネルギー損失分光(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pWS-6 SiCナノワイヤのジュール加熱によるグラファイト化のTEMその場観察(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYK-5 カーボンナノチューブ生成における不純物添加効果の環境制御型TEMによる解析(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aTD-9 シリコンナノチェイン電気伝導の非ガウスゆらぎ(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22pPSA-2 MOCVD法によるSiCナノ構造生成(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTG-7 カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-61 マイクロマニピュレータを用いた半導体ナノニードルの電気伝導特性の測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYH-7 シリコンナノチェインの高電圧印加電気伝導(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-59 自己アフィンSiCナノワイヤの自己形成(29pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 24aPS-110 シリコンナノニードルをテンプレートとしたシリコン/鉄シリサイドヘテロ接合の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aYF-4 マルチアフィン半導体ナノワイヤの生成(確率過程・確率モデル,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 12aXG-11 SiC ナノワイヤ直径変動の複雑性とスケーリング(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
- 29pPSA-63 ナノワイヤ成長にみられる複雑な直径変動(領域11ポスターセッション)
- 28pPSB-67 SiC bamboo 構造の電子構造
- 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
- 31aZF-7 シリコンナノ結晶チェーンの電気伝導特性
- 24aPS-109 組成変化SiGeナノウィスカーの構造と成長メカニズム(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27pPSA-64 グラフェン/グラファイトで覆われたSiCナノワイヤのMOCVDによる生成(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-32 電子線照射と反応ガスによるAu/TiO_2触媒の形状変化の環境TEM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTG-5 Pt/CeO_2触媒のガス種に依存した形状変化の環境TEM観察(26aTG 微粒子・クラスター・ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-63 シリコンナノチェインの炭素コーティングによるジュール加熱チューブ化制御(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYC-10 シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
- 23aJB-4 触媒反応ガス中におけるPt/CeO_2形状の温度依存性(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31aZF-12 シリコンーシリサイドーオキサイド・ナノチェーンの生成と物性
- 17pTF-2 金属・硫黄を用いたシリコンニードルの生成
- 29pPSA-47 鉛-金触媒を用いたシリコンナノ結晶チェーンの生成と光学特性
- 28aTA-6 シリコンナノ結晶チェーンの高効率生成
- 24pW-14 Siナノ結晶チェインからのカソードルミネッセンス
- 24aCC-6 反応ガス中における白金ナノ粒子触媒の表面構造(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-60 Ptナノ粒子包含泡状ナノカーボンのレーザーアブレーションによる生成(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 26aXS-10 ガンマ鉄触媒から生成した多層カーボンナノチューブの自発的潰れによるカーボンナノリボンおよびナノテトラヘドロン形成(26aXS 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 7aSN-9 SiC bamboo構造の透過型電子顕微鏡観察(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)
- 27pPSA-65 カーボンナノチューブ中におけるカーボンナノチューブCVD成長(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXR-3 SiGeにおける電子線照射効果(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 26pWD-5 シリコン結晶中に内包された金クラスターの構造(26pWD クラスター・表面ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25aXR-7 シリコン中の金シリサイド微粒子の構造(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 24aWD-4 VLS機構による自己成長型Siナノワイヤーの生成起点(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))