17pTF-2 金属・硫黄を用いたシリコンニードルの生成

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2001-09-03

著者

• 河野 日出夫

  大阪大学大学院理学研究科

• 竹田 精治

  阪大院理

• 河野 日出夫

  阪大院理

関連論文

• 酸化セリウムに担持した白金と金のナノ粒子の高分解能環境TEM観察
• 26pYH-1 SiCナノワイヤ/Auナノ粒子ネットワークにおける抵抗スイッチング(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aYN-4 シリコン・ナノワイヤーの価電子励起過程のTEM-EELS分析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-10 SiCナノワイヤにおける積層シーケンスの統計的性質(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pPSB-2 コンペイトウ型SiC粒子の生成 : ナノワイヤ成長からの遷移(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aPS-59 超流動ヘリウム中におけるZnOナノ微粒子の作製(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aPS-111 合金触媒を用いたシリコンナノワイヤー成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28pXM-2 SiCナノワイヤーの電子線ホログラフィー(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 22aXA-3 SiC 一次元ナノ構造の内部ポテンシャル
• 21aYE-4 ヘテロ接合ナノワイヤの内部ポテンシャル測定
• 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 23aTA-6 CF_4プラズマによるSWCNTのフッ素化(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYK-3 有機ガスの電子エネルギー損失分光(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• GaAs結晶中のヘリウム・バブルからの透過電子回折 : 結晶内部表面構造
• 25pWS-6 SiCナノワイヤのジュール加熱によるグラファイト化のTEMその場観察(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 6a-YG-8 パルスESRによる年代測定法
• 自己形成SiCナノワイヤに見られる複雑な直径変動
• 25aYK-5 カーボンナノチューブ生成における不純物添加効果の環境制御型TEMによる解析(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aTD-9 シリコンナノチェイン電気伝導の非ガウスゆらぎ(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pPSA-2 MOCVD法によるSiCナノ構造生成(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTG-7 カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• シリコン双晶ナノ粒子の高分解能電子顕微鏡観察 : 回転に伴う像の連続変化
• 25pPSB-61 マイクロマニピュレータを用いた半導体ナノニードルの電気伝導特性の測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pYH-7 シリコンナノチェインの高電圧印加電気伝導(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-59 自己アフィンSiCナノワイヤの自己形成(29pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 24aPS-110 シリコンナノニードルをテンプレートとしたシリコン/鉄シリサイドヘテロ接合の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 宇宙地球の格子欠陥から物理の格子欠陥へ
• 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
• 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
• 電子スピン共鳴(ESR)による中国・韓国・日本の風成塵起源石英の同定
• 7a-S-10 シリコン中の拡張欠陥のEELS
• 18aRJ-4 環境制御型透過電子顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ成長その場観察(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aYF-4 マルチアフィン半導体ナノワイヤの生成(確率過程・確率モデル,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 12aXG-13 成長雰囲気中における SWNT の TEM 像シミュレーション(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 12aXG-11 SiC ナノワイヤ直径変動の複雑性とスケーリング(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 29pPSA-63 ナノワイヤ成長にみられる複雑な直径変動(領域11ポスターセッション)
• 28pPSB-67 SiC bamboo 構造の電子構造
• 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
• 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
• 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
• 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
• 28p-ZA-11 シリコンにおける電子線照射効果の低温(4K)その場高分解能TEM観察
• 26a-T-3 シリコンの低温での電子線照射効果
• 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
• 31aZF-7 シリコンナノ結晶チェーンの電気伝導特性
• 31aYG-7 シリコン {113} 面欠陥の plan-view 高分解能電子顕微鏡観察
• 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
• 18aWD-9 金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察
• 29pPSA-27 Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察
• 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
• 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
• 30p-E-11 半導体中の微小金属析出物のEELS測定
• 24aPS-109 組成変化SiGeナノウィスカーの構造と成長メカニズム(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 29pPSA-29 セルフイオン照射Si結晶の断面STM観察
• 30p-Q-9 シリコン及びゲルマニウムにおける表面ナノホールの生成条件
• 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
• 30a-N-2 石英中における粒子線照射欠陥のパルスESR測定
• ESRによる広域風成塵起源の石英の同定
• 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
• 19pXC-4 環境制御型TEMの新しい可能性(シンポジウム 最新電子顕微鏡法を使った物性研究のいぶき,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pPSA-64 グラフェン/グラファイトで覆われたSiCナノワイヤのMOCVDによる生成(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-32 電子線照射と反応ガスによるAu/TiO_2触媒の形状変化の環境TEM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTG-5 Pt/CeO_2触媒のガス種に依存した形状変化の環境TEM観察(26aTG 微粒子・クラスター・ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-63 シリコンナノチェインの炭素コーティングによるジュール加熱チューブ化制御(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYC-10 シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
• 23pTA-11 多形シリコンナノワイヤー
• 25pY-6 GaPの点欠陥移動における表面効果
• 24pY-14 シリコン表面ナノホールの光物性
• 23aW-13 シリコンナノワイヤーのTEM内その場可視分光装置による光学測定
• 23aJB-4 触媒反応ガス中におけるPt/CeO_2形状の温度依存性(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31aZF-12 シリコンーシリサイドーオキサイド・ナノチェーンの生成と物性
• 17pTF-2 金属・硫黄を用いたシリコンニードルの生成
• 17pTF-1 シリコンナノワイヤー成長におけるバイファケーション
• 開発事例 ナノサイズのシリコン球体チェーンの作製技術 (特集 ナノテクノロジーを支える超微粒子技術)
• シリコンナノ結晶チェーンの高効率生産技術 (特集 化学分野におけるナノテクノロジー)
• シリコンナノ結晶鎖の成長メカニズム(ナノ結晶)
• 27pZ-5 シリコン {111} 表面上に生成したシリコンナノワイヤーの光物性
• 23pTA-10 シリコンナノ結晶チェーンの生成機構
• 29pPSA-47 鉛-金触媒を用いたシリコンナノ結晶チェーンの生成と光学特性
• 28aTA-6 シリコンナノ結晶チェーンの高効率生成
• 24pYP-4 シリコン中の鉄ドナー準位の温度依存性
• 24pW-14 Siナノ結晶チェインからのカソードルミネッセンス
• 29a-PS-34 シリコンナノ結晶鎖の自己組織的生成
• IX. ナノ物質合成 シリコンナノ結晶鎖
• 28a-T-9 金注入によりアモルファス化したシリコンの再結晶化過程
• 28a-T-6 自己組織的シリコンナノ結晶鎖成長の生成条件依存性
• 30p-YK-12 シリコンの高温熱処理によるwhisker成長
• 30a-N-6 鉱物中の照射損傷のパルスESR測定

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク