吉川 純 | 阪大院理

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 阪大院理の論文著者

関連著者

• 吉川 純

  阪大院理

• 竹田 精治

  阪大院理

• 大野 裕

  阪大院理

• 吉川 純

  東北大多元研:aist:阪大院理学研究科

• 大野 裕

  東北大金研

• Takeda Shingo

  Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology

• Takeda Shingo

  Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.

• 竹田 精治

  大阪大学・大学院理学研究科

• 竹田 精治

  阪大・教養

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

• Takeda Shuzaburo

  Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University

• 市川 聡

  阪大ナノ機構

• 市川 聡

  産業技術総合研究所

• 市川 聡

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 市川 聡

  大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター

• 竹田 精治

  大阪大学大学院理学研究科

• 市橋 鋭也

  NEC基礎研究所

• 佐藤 庸平

  東北大多元研

• 寺内 正己

  東北大多元研

• 寺内 正己

  東北大学多元物質科学研究所

• 香山 正憲

  産総研関西

• 佐藤 康平

  東北大多元研

• 河野 日出夫

  阪大院理

• 鳥越 和尚

  阪大院理

• 竹田 精冶

  阪大院理

• 西田 孟

  阪大院理

• 寺内 正巳

  東北大学

• 尾崎 信彦

  筑波大院 数理物質科学研究科

• 市橋 鋭也

  Nec基礎・環境研究所

• 尾崎 信彦

  阪大院理

• 植田 耕平

  阪大院理

• 香山 正憲

  産総研関西セ

• 山崎 順

  名大院工

もっと見る 閉じる

著作論文

• 20aYN-4 シリコン・ナノワイヤーの価電子励起過程のTEM-EELS分析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-111 合金触媒を用いたシリコンナノワイヤー成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
• 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
• 7aSK-3 SiGe混晶における電子線照射誘起の拡張欠陥(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
• 25aXR-3 SiGeにおける電子線照射効果(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

スポンサーリンク