Ohno Yoshikazu | Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

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概要

• 同名の論文著者
• Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporationの論文著者

関連著者

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• 大野 裕

  東北大金研

• 大野 裕

  阪大院理

• Ohno Y

  Nagoya Univ. Naogya Jpn

• 米永 一郎

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大

• 竹田 精治

  阪大院理

• Takeda Shingo

  Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology

• 竹田 精治

  大阪大学・大学院理学研究科

• 水谷 照吉

  愛知工業大学電気工学科

• MIZUTANI Takashi

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• Mizutani Takashi

  Department Of Health Sciences Yamanashi Medical University

• OHNO Yutaka

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• KISHIMOTO Shigeru

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• 太子 敏則

  東北大金研

• 大野 裕

  東北大学金属材料研究所

• 徳本 有紀

  東北大金研

• 徳本 有紀

  東北大学金属材料研究所

• Mizutani Takashi

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• Takeda Shingo

  Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.

• Mizutani T

  Nagoya Univ. Nagoya‐shi Jpn

• 竹田 精治

  阪大・教養

• KISHIMOTO Shigeru

  Graduate School of Engineering, Nagoya University

• Mizutani Takashi

  Ntt Lsi Laboratories

• 尾崎 信彦

  筑波大院 数理物質科学研究科

• Mizutani T

  Ntt Lsi Laboratories

• 尾崎 信彦

  阪大院理

• 八百 隆文

  東北大金研

• 八百 隆文

  東北大学際セ

• 八百 隆文

  Center For Interdisciplinary Research Tohoku University

• Maezawa Koichi

  Ntt System Electronics Laboratories:(present) Faculty Of Engineering Nagoya University

• 市橋 鋭也

  NEC基礎研究所

• 米永 一郎

  東北大学金属材料研究所、男女共同参画委員会、女性研究者育成支援推進室

• 吉川 純

  阪大院理

• 鳥越 和尚

  阪大院理

• 小泉 晴比古

  東北大金研

• 小泉 晴比古

  東北大・金研

• NISHIMURA Tadashi

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• 太子 敏則

  信州大学カーボン科学研究所

• 藤井 克司

  Center For Interdisciplinary Research Tohoku University

• OHNO Yutaka

  Graduate School of Engineering, Nagoya University

• MIZUTANI Takashi

  Graduate School of Engineering, Nagoya University

• 吉川 純

  東北大多元研:aist:阪大院理学研究科

• 市橋 鋭也

  Nec基礎・環境研究所

• MAEZAWA Koichi

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• 河野 日出夫

  大阪大学大学院理学研究科

• 河野 日出夫

  阪大院理

• 村尾 優

  東北大学金属材料研究所

• SHINOHARA Hisanori

  Department of Cardiology and Clinical Research, National Hospital Organization Zentsuji Hospital

• 山崎 順

  名古屋大学理工科学総合研究センター

• MAEZAWA Koichi

  Graduate School of Engineering, Nagoya University

• TAKAI Mikio

  Faculty of Engineering Science, and Research Center for Extreme Materials, Osaka University

• KOJIMA Yoshihiro

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• 山崎 順

  阪大院理

• 大澤 隆亮

  東北大金研

• 市川 聡

  阪大ナノ機構

• 市川 聡

  産業技術総合研究所

• 市川 聡

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• Okazaki T

  Department Of Chemistry Nagoya University

• Kobayashi K

  Dep. Of Electronic Sci. And Engineering Kyoto Univ. Katsura Nishikyo Kyoto 615-8510 Japaninnovative

• Shimada T

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• SONODA Kenichirou

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• SAYAMA Hirokazu

  Faculty of Engineering Science and Research Center for Extreme Materials, Osaka University

• Satoh Shin-ichi

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• Kobayashi K

  Kobe Steel Ltd. Kobe Jpn

• Kamigaki K

  College Of Liberal Arts Toyama University

• OKAZAKI Toshiya

  Department of Chemistry, Nagoya University

• Satoh S

  Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn

• SHIMADA Takashi

  Department of Applied Physics, The University of Tokyo

• 西谷 滋人

  関西学院大理工

• 伊勢 秀彰

  東北大金研

• 西谷 滋人

  関西学院大学理工学部情報科学科

• 太子 敏則

  東北大学金属材料研究所

• 後藤 裕輝

  東北大金研:東北大学際セ

• OHNO Hideo

  Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku University

• 野上 隆文

  阪大院理

• 藤井 克司

  東北大金研

• Kinoshita K

  Ntt Basic Research Laboratory

• 沓掛 健太朗

  東北大学金属材料研究所

• Horino Y

  Diamond Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)

• MIYOSHI Hirokazu

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• Ohno H

  Jaeri-riken Spring-8 Project Team

• Ohno Hideo

  Molten Material Laboratory Division Of Nuclear Fuel Research Japan Atomic Energy Research Institute

• Ohno Hideo

  Laboratory For Electronic Intelligent Systems

• TERAMOTO Akinobu

  ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation

• Takai M

  Research Center For Materials Science At Extreme Conditions And Graduate School Of Engineering Scien

• KOBAYASHI Kiyoteru

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• HIRAYAMA Makoto

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• KISHIMOTO Takehisa

  Faculty of Engineering Science and Research Center for Extreme Materials, Osaka University

• KINOMURA Atsushi

  Osaka National Research Institute, AIST

• HORINO Yuji

  Osaka National Research Institute, AIST

• FUJII Kanenaga

  Osaka National Research Institute, AIST

• SATOH Shinichi

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• Kimura Hiroshi

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• Matsukura F

  Research Institute Of Electrical Communications

• Matsukura Fumihiro

  Hokkaido University

• HORINO Yuji

  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

• KINOMURA Atsushi

  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

• Kinoshita K

  Ntt Basic Research Laboratories

• KUROKAWA Yuto

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• SUGAI Toshiki

  Department of Chemistry, Nagoya University

• AKITA Mitsutoshi

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• 丹原 匡彦

  阪大院理

• 山本 直紀

  東工大院理工

• ITO Hiroshi

  Department of Internal Medicine, Division of Cardiovascular Medicine, Akita University Faculty of Me

• 竹田 精治

  大阪大学大学院理学研究科

• Honda Hiroyuki

  Department of Biotechnology, School of Engineering, Nagoya University

• Okochi Mina

  Department of Biotechnology, School of Engineering, Nagoya University

• 戸賀瀬 健介

  関西学院大理工

• 末澤 正志

  東北大金研

• Vanhellemont Jan

  Institute for Materials Research, Tohoku University

• 山本 直紀

  東工大院理工:jst-crest

• 石墨 淳

  奈良先端大物質

• MATSUKURA Fumihiro

  Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku University

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 秋田 知樹

  産総研関西

• 米永 一郎

  東北大・金研

• 末澤 正志

  東北大・金研

• 竹田 精冶

  阪大院理

• 平井 竜太

  阪大院理

• 金光 義彦

  奈良先端大物質

• SAKAI Akira

  Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• 足立 直人

  阪大院理

• TAKAHASHI Yoshikazu

  Ibaraki Prefectural University of Health Sciences

• Takahashi Y

  Ulvac Japan Ltd. Ibaraki Jpn

• SUZUKI Kosuke

  Department of Chemical Engineering and Materials Science, Doshisha University

• Takahashi Yoshihiro

  Department Of Applied Physics School Of Engineering Tohoku University

• Park Y‐k

  Samsung Electronics Gyeonggi‐do Kor

• Makita T

  Semiconductor Research Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Makita Tetsuro

  Semiconductor Research Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Mikami N

  Tohoku Univ. Sendai Jpn

• TAKAI Mikio

  Research Center for Materials Science at Extreme Conditions, Osaka University

• INUISHI Masahide

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• EIMORI Takahisa

  ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation

• Takahashi Y

  Ntt Basic Research Laboratories Ntt Cornoration

• 太子 敏則

  信州大カーボン科学研究所

• Horino Y

  Advanced Device Development Dept. Renesas Technology Corp.

• Mikami Noboru

  Semiconductor Research Laboratory

• Vanhellemont Jan

  Institute For Materials Research Tohoku University

• ISHIDA Masashi

  Department of Orthopaedics, Graduate School of Medical Science, Kyoto Prefectural University of Medi

• MATSUKURA Fumihiro

  Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University

• Iwase Takashi

  Graduate School Of Engineering Nagoya University

• SANO Kimikazu

  NTT Photonics Laboratories

• TAKAKUSAKI Misao

  Nikko Materials Co., Ltd.

• NAKATA Hirofumi

  Nikko Materials Co., Ltd.

• Eimori T

  Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn

• Eimori Takahisa

  Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation

• Ohno Y

  Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn

• Horikawa Tsuyoshi

  Semiconductor Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• Ito Hiromi

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• Sato Kazunao

  Semiconductor Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• OGATA Tamotsu

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• BAN Cozy

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• UEYAMA Akemi

  Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation

• MURANAKA Seiji

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• HAYASHI Tomohiko

  Ryoden Semiconductor System Engineering Corporation

• KOBAYASHI Junji

  Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation

• KUROKAWA Hiroshi

  Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation

• TERAMOTO Akinobu

  Mitsubishi Electric Corporation, ULSI Laboratory

• KOBAYASHI Kiyoteru

  Mitsubishi Electric Corporation, ULSI Laboratory

• OHNO Yoshikazu

  Mitsubishi Electric Corporation, ULSI Laboratory

• HIRAYAMA Makoto

  Mitsubishi Electric Corporation, ULSI Laboratory

• KISHIMOTO Takehisa

  Research Center for Materials Science at Extreme Conditions and Faculty of Engineering Science, Osak

• PARK Yang-Keun

  Faculty of Engineering Science and Research Center for Extreme Materials, Osaka University

• SAYAMA Hirokazu

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• MORIHARA Toshinori

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• KATAYAMA Toshiharu

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• Sonoda Ken-ichiro

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• Hara Shigenori

  Faculty of Engineering Science and Research Center for Extreme Materials

• KOTANI Norihiko

  ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• Matsukura Fumihiro

  Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University

• Matsukura Fumihiro

  Laboratory For Electronic Intelligent Systems Research Institute Of Electrical Communication Tohoku

• OHNO Yuzo

  Tohoku University

• KOHDA Makoto

  Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohok

• OHNO Yuzo

  Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohok

• TAKAMURA Koji

  Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohok

• Hara S

  Osaka Univ. Suita‐shi Jpn

• Hara S

  The Department Of Electronic Information And Energy Engineering Graduate School Of Engineering Osaka

• 望月 多恵

  三菱化学

• 藤井 克司

  三菱化学

• SOGA Ikuo

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• Takahashi Y

  Tanaka Solid Junction Project Erato Japan Science And Research Corporation

• NAKAO Takeshi

  Department of Electrical and Information Systems, Osaka Prefecture University

• Hara Shinsuke

  The Faculty Of Engineering Osaka University

• Maezawa Koichi

  Department Of Quantum Engineering Graduate School Of Engineering Nagoya University

• SHIMAUCHI Hideki

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• OHNAKA Hirofumi

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• TANI Kentaro

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• IWATSUKI Shinya

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• SUENAGA Kazutomo

  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

• TANIGUCHI Risa

  Department of Chemistry, Nagoya University

• KATO Haruhito

  Department of Chemistry, Nagoya University

• CAO Baopeng

  Department of Chemistry, Nagoya University

• KAWANO Yoichi

  Graduate School of Engineering, Nagoya University

• SATO Kuninori

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• MIZUNO Shinya

  Graduate School of Quantum Engineering. Nagoya University

• Ogata Toshihiro

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Science And Engineering Saga University

• Sato K

  Ntt Network Innovation Laboratories

• Kawano Yoichi

  Graduate School Of Engineering Nagoya University

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著作論文

• 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
• 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-13 ZnO結晶の硬度特性と転位挙動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-11 ZnO中の転位の電子励起誘起運動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pYF-15 ZnO中の転位に関係する局在電子準位(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYF-6 ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-8 塑性変形したバルクZnO単結晶の降伏強度と転位の運動(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-9 塑性変形したZnOの光学特性(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13pTJ-11 TEM-CL 法による双晶面が存在する AlGaAs の光学特性の評価(電子線, 領域 10)
• 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• Metamorphic Resonant Tunneling Diodes and Its Application to Chaos Generator ICs
• (Ba_<0.75>Sr_<0.25>)TiO_3 Films for 256 Mbit DRAM (Special Issue on Quarter Micron Si Device and Process Technologies)
• Impact of Organic Contaminants from the Environment of Electrical Characteristics of Thin Gate Oxides
• Highly Reliable SiO_2 Films Formed by UV-O_2 Oxidation
• Highly Reliable SiO_2 Films Formed by UV-O_2 Oxidation
• Control of Carrier Collection Efficiency in n^+p Diode with Retrograde Well and Epitaxial Layers
• Well Structure by High-Energy Boron Implantation for Soft-Error Reduction in Dynamic Random Access Memories (DRAMs)
• Estimation of Carrier Suppression by High-Energy Boron-Implanted Layer for Soft Error Reduction
• Disk-Shaped Stacked Capacitor Cell for 256 Mb Dynamic Random-Access Memory
• Soft-Error Study of DRAMs with Retrograde Well Structure by New Evaluation Method (Special Issue on Quarter Micron Si Device and Process Technologies)
• Charge Collection Control Using Retrograde Well Tested by Proton Microprobe Irradiation
• Semiconductor Spin Electronics
• A Spin Esaki Diode
• 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
• 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
• 27aYG-8 再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• Suppression of Hysteresis in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors : Effect of Contamination Induced by Device Fabrication Process
• Fabrication of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Grown Nanotubes
• Fabrication of Antigen Sensors Using Carbon Nanotube Field Effect Transistors
• Fabrication and Characterization of Peapod Field-Effect Transistors Using Peapods Synthesized Directly on Si Substrate
• Growth of High-Quality Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Field Emitters
• Effects of Fabrication Process on Current-Voltage Characteristics of Carbon Nanotube Field Effect Transistors
• Photoresponse of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
• Growth of mm-Long Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
• Tunable Field-Effect Transistor Device with Metallofullerene Nanopeapods
• Growth of High-Quality Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Field Emitters
• Fluid Dynamic Assembly of Semiconductor Blocks for Heterogeneous Integration
• Fabrication Technique for Carbon Nanotube Single-Electron Transistors Using Focused Ion Beam
• Direct Observation of High-Frequency Chaos Signals from the Resonant Tunneling Chaos Generator
• Fabricated on a GaAs-based Semiconductor-on-Insulator Substrate Using a Spin-On Low-k Dielectric Film
• Large Gate Leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
• Electroluminescence in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors under High Bias Voltage (Short Note)
• Temperature Distribution Measurement in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors by Micro-Raman Scattering Spectroscopy : Semiconductors
• 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
• 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
• 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
• 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
• 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
• Microwave Performance of 0.3-μm Gate-Length Multi-Finger AlGaN/GaN Heterojunction FETs with Minimized Current Collapse
• 13pPSA-58 MBE-VLS 法で成長した ZnSe ナノワイヤーの光学特性(領域 5)
• 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• High-Speed Operation of a Novel Frequency Divider Using Resonant Tunneling Chaos Circuit
• 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
• 18aWD-9 金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察
• 29pPSA-27 Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察
• 20pYD-6 ZnSe 薄膜中における積層欠陥の光誘起成長(TEM 内光照射その場観察)
• 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
• Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors
• High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges
• A Delta-Sigma Analog-to-Digital Converter Using Resonant Tunneling Diodes(Semiconductors)
• 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
• 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成 (連載技術特集 よく分かるナノテクノロジー(2)ナノ加工)
• 27pYC-10 シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
• 23pTA-11 多形シリコンナノワイヤー
• 25pY-6 GaPの点欠陥移動における表面効果
• 24pY-14 シリコン表面ナノホールの光物性
• 23aW-13 シリコンナノワイヤーのTEM内その場可視分光装置による光学測定
• 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• Estimation of Height of Barrier Formed in Metallic Carbon Nanotube (Special Issue : Solid State Devices and Materials (1))

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