26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))

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概要

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• 2010-08-18

著者

• 大野 裕

  東北大金研

• 太子 敏則

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大金研

• 徳本 有紀

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大

• 大野 裕

  阪大院理

• 大野 裕

  東北大学金属材料研究所

• 徳本 有紀

  東北大学金属材料研究所

• 太子 敏則

  信州大カーボン科学研究所

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Ohno Y

  Nagoya Univ. Naogya Jpn

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

• 太子 敏則

  信州大学工学部

• 大野 裕

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• Okigawa Yuki

  Graduate School Of Engineering Nagoya University

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