20aYN-1 III-V族化合物半導体の塑性変形による光吸収スペクトルの変化(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-08-19
著者
-
枝川 圭一
東大生産研
-
米永 一郎
東北大金研
-
上村 祥史
東大生研
-
枝川 圭一
東大生研
-
上村 祥史
東大生産研
-
米永 一郎
東北大
-
長谷川 裕記
海洋研究開発機構地球シミュレータセンター
-
長谷川 裕記
東大生研
-
長谷川 裕紀
東大生研
-
枝川 圭一
東大 生産技研
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