上村 祥史 | 東大生産研
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概要
関連著者
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上村 祥史
東大生産研
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枝川 圭一
東大生産研
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上村 祥史
東大生研
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枝川 圭一
東大 生産技研
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枝川 圭一
東大生研
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鈴木 敬愛
東理大
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竹内 伸
東理大基礎工
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竹内 伸
東理大理工
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米永 一郎
東北大金研
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鈴木 敬愛
東大生研
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米永 一郎
東北大
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橋本 辰男
東大生研
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橋本 辰男
物性研
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橋本 辰男
東大生産研
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吉原 教明
東大生研
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鈴木 敬愛
東大生産研
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鈴木 邦夫
東大生産研
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小泉 大一
明大理工
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長谷川 裕記
海洋研究開発機構地球シミュレータセンター
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長谷川 裕紀
東大生研
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野田 麻美子
東大生研
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斉藤 岳行
東大生研
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田村 隆治
東理大基礎工
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枝川 圭一
東京大学生産技術研究所
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横山 卓史
東大生研
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大岩 弘和
東大生研
-
高槻 淳
東大生研
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横山 嘉彦
東北大金研
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横山 嘉彦
姫工大工
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鈴木 邦夫
東大物性研
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鈴木 邦夫
東大生研
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野田 麻美子
東理大基礎工
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郭 俊清
科技団
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蔡 安邦
金材研
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坂入 芳子
東大生研:東大工
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長谷川 裕記
東大生研
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岸田 真柄
東大生産研
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郭 俊清
物質・材料研究機構:科技団
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肖 英紀
東大生産研
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河野 賢太郎
東大生産研
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北浦 岳志
東大生産研
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徳岡 輝和
東大生研
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坂入 芳子
東大生研
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竹内 伸
理大基礎工
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宮木 健吾
東大生研
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中島 栄一郎
東大生産研
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齋藤 岳行
東大生産研
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吉原 教明
東大生産研
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鈴木 敬愛
東理大基礎工
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山内 聡
東大生研
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岸田 真柄
東大生研
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坂入 芳子
東大生産研
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佐藤 智重
日本電子応用研究センター
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藪内 透
東大生研
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Kirchner H.o.k.
Univ. Paris-sud
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渡邉 浩和
東大生産研
著作論文
- 22pWA-12 GaN中転位の電気伝導(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pYJ-5 正20面体準結晶中転位周りの変位場の高分解能電顕観察(21pYJ 準結晶/液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 24pYF-14 Ge中転位の電気的性質(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-10 塑性変形したGaNの電気的及び光学的性質(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXB-6 塑性変形したGaPの電気伝導(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pXA-9 Mo 中らせん転位芯構造の高分解能電子顕微鏡観察
- 31aYG-5 bcc 金属中らせん転位芯構造の HRTEM 像
- 26aYK-3 NiY系金属ガラス中の塑性歪伝播(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pXD-2 NiY系金属ガラスの塑性変形のシミュレーション(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aXB-8 GaNの光吸収端の塑性変形による変化(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aYN-1 III-V族化合物半導体の塑性変形による光吸収スペクトルの変化(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aYM-11 III-V族化合物半導体の光学スペクトルの塑性変形による変化(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 27aYM-10 III-V族化合物半導体中転位の電子線ホログラフィー(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 24pYM-7 アモルファス金属中転位の安定性とすべり運動(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 27pXT-4 面心立方金属中拡張転位の運動の遷移経路計算(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 27pYC-9 Mg-Zn-Y系正20面体相の低温における塑性変形(準結晶(物性))(領域6)
- 20pXA-12 アモルファス金属中転位の安定性
- 22aTK-1 Mg-Zn-Y 系正 20 面体相の低温領域における塑性変形 II
- 31aZC-8 Mg-Zn-Y 系正 20 面体相の低温領域における塑性変形
- 18aTG-6 bcc格子中らせん転位の芯構造
- 28p-ZA-3 III-V族半導体のτ_c-Tのhumpの解釈
- 28p-ZA-2 ダイヤモンド型結晶のらせん転位の2次元パイエルス・ポテンシャル
- 27a-T-8 シリコン中の完全らせん転位のパイエルス応力の計算
- 23aTF-8 準結晶のSTM及びSTS
- 24pQ-4 正10角形準結晶のSTM観察
- 27aYC-2 bcc遷移金属中のらせん転位の芯構造
- 27aYC-1 bcc遷移金属中らせん転位のキンク対形成の遷移経路計算
- 22pYS-7 高圧下でのCdTeの塑性変形
- 24pYL-14 Siの中低温における圧縮試験
- 24pYL-10 bcc金属のパイエルス応力の圧力依存
- 28p-ZA-1 III-V族化合物の低温塑性
- 2a-YK-1 bcc金属の塑性ホモロジー
- 27a-T-13 III-V族化合物半導体の降伏応力の温度依存性
- 27aXR-4 bcc金属中らせん転位芯構造の収束電子回折シミュレーション(27aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 8aSK-6 タンタル中の転位の収束電子回折(格子欠陥・ナノ構造,領域10)