High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges

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概要

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• 2010-10-25

著者

• 大野 裕

  東北大金研

• 水谷 照吉

  愛知工業大学電気工学科

• SUZUKI Kosuke

  Department of Chemical Engineering and Materials Science, Doshisha University

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Ohno Y

  Nagoya Univ. Naogya Jpn

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• MIZUTANI Takashi

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• Mizutani T

  Nagoya Univ. Nagoya‐shi Jpn

• Mizutani T

  Ntt Lsi Laboratories

• Mizutani Takashi

  Department Of Health Sciences Yamanashi Medical University

• Mizutani Takashi

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• OHNO Yutaka

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• KISHIMOTO Shigeru

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• Kishimoto Shigeru

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• Kishimoto Shigeru

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

• Ohno Yutaka

  Department Of Information Science Faculty Of Engineering Kyoto University

• Suzuki Kosuke

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• MORIYAMA Naoki

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• Moriyama Naoki

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• Mizutani Takashi

  Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University

• Mizutani Takashi

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University

• Suzuki Kosuke

  Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering The University Of Tokyo

• Ohno Yutaka

  Department of Applied Chemistry, Faculty of Engineering, Tohoku University

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