Tunable Field-Effect Transistor Device with Metallofullerene Nanopeapods

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概要

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• Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
• 2005-01-15

著者

• 大野 裕

  東北大金研

• SHIMADA Takashi

  Department of Applied Physics, The University of Tokyo

• 水谷 照吉

  愛知工業大学電気工学科

• SHINOHARA Hisanori

  Department of Cardiology and Clinical Research, National Hospital Organization Zentsuji Hospital

• Okazaki T

  Department Of Chemistry Nagoya University

• Shimada T

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• MIZUTANI Takashi

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• Mizutani T

  Nagoya Univ. Nagoya‐shi Jpn

• Mizutani T

  Ntt Lsi Laboratories

• Mizutani Takashi

  Department Of Health Sciences Yamanashi Medical University

• Mizutani Takashi

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• Mizutani Takashi

  Ntt Lsi Laboratories

• OHNO Yutaka

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• KISHIMOTO Shigeru

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• OKAZAKI Toshiya

  Department of Chemistry, Nagoya University

• SUGAI Toshiki

  Department of Chemistry, Nagoya University

• SUENAGA Kazutomo

  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

• TANIGUCHI Risa

  Department of Chemistry, Nagoya University

• KATO Haruhito

  Department of Chemistry, Nagoya University

• CAO Baopeng

  Department of Chemistry, Nagoya University

• Kishimoto Shigeru

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• Kishimoto Shigeru

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

• Shinohara Hisanori

  Department Of Chemistry Graduate School Of Science Nagoya University

• Ohno Yutaka

  Department Of Information Science Faculty Of Engineering Kyoto University

• Shinohara Hisanori

  Department Of Cardiology And Clinical Research National Hospital Organization Zentsuji Hospital

• Cao Baopeng

  Department Of Chemistry Nagoya University

• Kato Haruhito

  Department Of Chemistry Nagoya University

• Taniguchi Risa

  Department Of Chemistry Nagoya University

• Suenaga Kazutomo

  Laboratoire De Physique Des Solides Associe Au Cnrs (ura 002)batiment 510 Universite Paris-sud

• Sugai Toshiki

  Department Of Chemistry And Institute For Advanced Research Nagoya University

• Kato H

  Waseda Univ. Tokyo Jpn

• Okazaki Toshiya

  Department Of Chemistry Nagoya University

• Mizutani Takashi

  Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University

• Shimada Takashi

  Department Of Applied Physics School Of Engineering The University Of Tokyo

• Mizutani Takashi

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University

• Shinohara Hisanori

  Department Of Cardiology And Clinical Research

• Shimada Takashi

  Department of Applied chemistry, Kinki University School of Science and Technology

• Ohno Yutaka

  Department of Applied Chemistry, Faculty of Engineering, Tohoku University

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• 領域10,領域9「エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥」(第67回年次大会シンポジウムの報告,学会報告)
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• 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24pCD-1 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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• 20pAH-7 X線回折顕微法によるシリコン結晶中の成長時導入転位の特性の解明(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-3 Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-8 ナノインデンテーション法によるAl_xGa_N薄膜の硬度測定(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-1 高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位の発生挙動の解明(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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