Fabrication and Characterization of Peapod Field-Effect Transistors Using Peapods Synthesized Directly on Si Substrate
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2005-11-10
著者
-
大野 裕
東北大金研
-
SHIMADA Takashi
Department of Applied Physics, The University of Tokyo
-
水谷 照吉
愛知工業大学電気工学科
-
SHINOHARA Hisanori
Department of Cardiology and Clinical Research, National Hospital Organization Zentsuji Hospital
-
Okazaki T
Department Of Chemistry Nagoya University
-
Shimada T
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
-
ISHIDA Masashi
Department of Orthopaedics, Graduate School of Medical Science, Kyoto Prefectural University of Medi
-
KISHIMOTO Shigeru
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
-
MIZUTANI Takashi
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
Mizutani T
Nagoya Univ. Nagoya‐shi Jpn
-
Mizutani T
Ntt Lsi Laboratories
-
Mizutani Takashi
Department Of Health Sciences Yamanashi Medical University
-
Mizutani Takashi
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Mizutani Takashi
Ntt Lsi Laboratories
-
OHNO Yutaka
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
KISHIMOTO Shigeru
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
KUROKAWA Yuto
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
OKAZAKI Toshiya
Department of Chemistry, Nagoya University
-
Kishimoto Shigeru
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Kishimoto Shigeru
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
-
Shinohara Hisanori
Department Of Chemistry Graduate School Of Science Nagoya University
-
Ohno Yutaka
Department Of Information Science Faculty Of Engineering Kyoto University
-
Kawano Y
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Shinohara Hisanori
Department Of Cardiology And Clinical Research National Hospital Organization Zentsuji Hospital
-
Kurokawa Yuto
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Ishida Masashi
Department Of Chemistry Nagoya University
-
Okazaki Toshiya
Department Of Chemistry Nagoya University
-
Mizutani Takashi
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Shimada Takashi
Department Of Applied Physics School Of Engineering The University Of Tokyo
-
Mizutani Takashi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Shinohara Hisanori
Department Of Cardiology And Clinical Research
-
Shimada Takashi
Department of Applied chemistry, Kinki University School of Science and Technology
-
Ohno Yutaka
Department of Applied Chemistry, Faculty of Engineering, Tohoku University
関連論文
- 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- Nonequilibrium Distribution of the Microscopic Thermal Current in Steady Thermal Transport Systems(Frontiers in Nonequilibrium Physics-Fundamental Theory, Glassy & Granular Materials, and Computational Physics-)
- 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Bone marrow stromal cell-mediated gene delivery into infarcted heart
- Circulating bone marrow-derived cells differentiate into cardiomyocytes in infarcted heart
- Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
- 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-13 ZnO結晶の硬度特性と転位挙動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-11 ZnO中の転位の電子励起誘起運動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pYF-15 ZnO中の転位に関係する局在電子準位(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aYF-6 ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-8 塑性変形したバルクZnO単結晶の降伏強度と転位の運動(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-9 塑性変形したZnOの光学特性(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13pTJ-11 TEM-CL 法による双晶面が存在する AlGaAs の光学特性の評価(電子線, 領域 10)
- 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
- 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
- PJ-187 Adeno-associated Virus-mediated Prostaglandin I2 Synthase (PGIS) Gene Transfer Improves a Limb Ischemia(PJ032,Peripheral Circulation/Vascular Disease (Pathophysiology, Basic) 1 (H),Poster Session (Japanese),The 73rd Annual Scientific Meeting of The
- PJ-172 AAV-PGIS Gene Transfer Improves Hypoxia-induced Pulmonary Hypertension in Mice(Pulmonary circulation(03)(H),Poster Session(Japanese),The 72nd Annual Scientific Meeting of the Japanese Circulation Society)
- PE-529 Efficient Correction of Cardiac Abnormalities in Fabry Mice by AAV Type 8 Mediated Systemic Gene Transfer(PE089,Cardiomyopathy/Hypertrophy (Basic) (M),Poster Session (English),The 73rd Annual Scientific Meeting of the Japanese Circulation Society)
- 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- Amplification, up-regulation and over-expression of DVL-1, the human counterpart of the Drosophila disheveled gene, in primary breast cancers
- AAV Vector-Mediated Muscle Directed Gene Therapy for Fabry Disease : Sequential Evaluation on Cardiovascular and Renal System
- AAV Vector-mediated Muscle Directed Gene Therapy Results in Long-term Enzymatic and Structural Correction in Cardiovascular System of Fabry Mice
- Oil-Body-Membrane Proteins and Their Physiological Functions in Plants
- Sequential Histopathological Changes in vivo after Suicide Gene Therapy of Gastric Cancer Induced by N-Methyl-N'-nitro-N-nitrosoguanidine in Rats
- Recipient non-hematopoietic bone marrow cells in the intestinal graft after fetal small intestinal transplantation
- Generation of a Chimeric Mouse Reconstituted with Green Fluorescent Protein-Positive Bone Marrow Cells : A Useful Model for Studying the Behavior of Bone Marrow Cells in Regeneration In Vivo
- Home treatment with enzyme replacement therapy in a 5-year-old girl with type 2 Gaucher disease
- 2P138 リボソームの粗視化MDによる翻訳での動的振舞の研究(核酸-相互作用・複合体,第48回日本生物物理学会年会)
- 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
- 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
- 27aYG-8 再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- Corrective effect on Fabry mice of yeast recombinant human α-galactosidase with N-linked sugar chains suitable for lysosomal delivery
- Suppression of Hysteresis in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors : Effect of Contamination Induced by Device Fabrication Process
- Fabrication of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Grown Nanotubes
- Fabrication and Characterization of Peapod Field-Effect Transistors Using Peapods Synthesized Directly on Si Substrate
- Tunable Field-Effect Transistor Device with Metallofullerene Nanopeapods
- Growth of High-Quality Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Field Emitters
- Fabricated on a GaAs-based Semiconductor-on-Insulator Substrate Using a Spin-On Low-k Dielectric Film
- Large Gate Leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
- Nonequilibrium Distribution of the Microscopic Thermal Current in Steady Thermal Transport Systems
- Energy Transport in Lennard-Jones Particle System(The 50th Anniversary of the Alder Transition -Recent Progress on Computational Statistical Physics-)
- Microscopic Energy Flux in Particle Systems and Nonlinear Lattices(The 50th Anniversary of the Alder Transition -Recent Progress on Computational Statistical Physics-)
- Nonequilibrium Microscopic Distribution of Thermal Current in Particle Systems(General)
- Distribution of Microscopic Energy Flux in Equilibrium State
- Energy Transport in Multiphase System (General)
- Energy Transport in Multiphase System
- Simulational Study on Dimensionality Dependence of Heat Conduction : Fluids, Plasmas, and Electric Discharges
- A simple and efficient purification of transduced cells by using green fluorescent protein gene as a selection marker
- Improved methods of HIV vector mediated gene transfer
- Suicide Gene Therapy for Chemically Induced Rat Bladder Tumor Entailing Instillation of Adenoviral Vectors
- Simultaneous Novel BCR-ABL Gene Mutation and Increased Expression of BCR-ABL mRNA Caused Clinical Resistance to STI571 in Double-Ph-Positive Acute Biphenotypic Leukemia
- 13pPSA-58 MBE-VLS 法で成長した ZnSe ナノワイヤーの光学特性(領域 5)
- 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- In situ Gene Transfer and Suicide Gene Therapy of Gastric Cancer Induced by N-Ethyl-N'-nitro-N-nitrosoguanidine in Dogs
- 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
- B9 Machining Strategy to Adapt Cutting Conditions under Digital Copy Milling Concept(Advanced machine tool)
- 20pYD-6 ZnSe 薄膜中における積層欠陥の光誘起成長(TEM 内光照射その場観察)
- Identification of a novel frameshift mutation (383insT) in the RUNX2 (PEBP2 α/CBFA1/AML3) gene in a Japanese patient with cleidocranial dysplasia
- Association between single nucleotide polymorphisms in the hMSH3 gene and sporadic colon cancer with microsatellite instability
- Evidence of edge conduction at nanotube/metal contact in carbon nanotube devices
- 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
- Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors
- High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges
- 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
- 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 領域10,領域9「エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥」(第67回年次大会シンポジウムの報告,学会報告)
- 24aCD-2 シリコン結晶中の対応粒界の粒界転位構造と結晶成長に伴う変化(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24pCD-1 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-1 シリコン中の積層欠陥とドーパント原子の相互作用エネルギー(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-2 AIN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-7 X線回折顕微法によるシリコン結晶中の成長時導入転位の特性の解明(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-3 Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-8 ナノインデンテーション法によるAl_xGa_N薄膜の硬度測定(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-1 高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位の発生挙動の解明(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-7 Al_xGa_N薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pPSA-9 Si中の銅クラスターの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pPSA-13 Si結晶中の積層欠陥における不純物ドーパントの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28pAM-4 シリコン中におけるΣ9{114}粒界と不純物の相互作用(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))