13pPSA-58 MBE-VLS 法で成長した ZnSe ナノワイヤーの光学特性(領域 5)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 大野 裕

  東北大金研

• 石墨 淳

  奈良先端大物質

• 大野 裕

  阪大院理

• 金光 義彦

  奈良先端大物質

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

• 白濱 武郎

  阪大院理

関連論文

• 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pPSB-31 AgイオンをドープしたCdSナノ粒子におけるDAペア発光のAg濃度依存性(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aPS-77 時空間分解分光によるGaN:Eu^中の高効率Eu^発光サイトの解明(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 21aTR-11 時空間分解分光によるGaN:Eu^の発光機構の解明(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
• 25aPS-59 電子ドープしたSrTiO_3の発光ダイナミクス(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 23aYJ-8 Mn^:ZnE(E=O,S)ナノ粒子の磁気光学特性(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
• 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-13 ZnO結晶の硬度特性と転位挙動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-11 ZnO中の転位の電子励起誘起運動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pYF-15 ZnO中の転位に関係する局在電子準位(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYF-6 ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-8 塑性変形したバルクZnO単結晶の降伏強度と転位の運動(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-9 塑性変形したZnOの光学特性(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13pTJ-11 TEM-CL 法による双晶面が存在する AlGaAs の光学特性の評価(電子線, 領域 10)
• 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 26pXQ-8 イオン打ち込み法で作製したCdS:Mnナノ粒子の単一ナノ粒子発光分光(領域5, 領域4合同招待講演,領域5(光物性))
• 22pPSB-32 Ga,AlイオンをドープしたZnOナノ粒子の作製と発光特性(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 27aPS-75 活性不純物をドープしたZnOナノ粒子の発光特性と表面状態(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 28pPSA-61 コア/シェル型CdS:Mn/ZnSナノ粒子の粒径およびコア/シェル比制御と光学特性(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21pTR-9 コア/シェル型ZnS:Mnナノ粒子の粒径制御と光学特性(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• 19aZB-4 コア/シェル型CdS:Mn/ZnSナノ粒子における発光機構のMn濃度依存性(微粒子・ナノ結晶,表面・薄膜,領域5,光物性)
• 28aPS-65 Mn^イオンをドープしたcore/shell型CdSナノ粒子の作製と光学特性(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aPS-66 不純物イオンをドープしたZnOナノロッドからの発光(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-91 SiO_2膜に分散したZnOナノ粒子の発光特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 13pPSA-67 ZnO ナノ粒子分散 SiO_2 膜の顕微発光分光(領域 5)
• 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 28a-XC-10 溶液中色素分子の2光子励起共鳴光散乱(I)温度変化
• 29a-F-11 溶液中色素分子における緩和過程の溶媒変化
• 27aPS-70 MnドープしたCdS/ZnSナノ粒子の高密度光励起状態(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 30aVD-9 Mnドープしたコア/シェル型CdSおよびZnSナノ粒子の磁気光学特性(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
• 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
• 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
• 27aYG-8 再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• Suppression of Hysteresis in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors : Effect of Contamination Induced by Device Fabrication Process
• Fabrication of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Grown Nanotubes
• Fabrication and Characterization of Peapod Field-Effect Transistors Using Peapods Synthesized Directly on Si Substrate
• Tunable Field-Effect Transistor Device with Metallofullerene Nanopeapods
• Growth of High-Quality Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Field Emitters
• Fabricated on a GaAs-based Semiconductor-on-Insulator Substrate Using a Spin-On Low-k Dielectric Film
• Large Gate Leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
• 23pPSB-30 ZnO:Co^ナノ粒子の磁性と発光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSB-7 顕微発光イメージング分光によるGaN:Euの発光機構の解明(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27pRE-14 空間分解発光測定によるGaN:Eu^の発光機構の研究(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
• 21aXB-2 液体二硫化炭素の局所構造の圧力依存性
• 18aYE-5 二硫化炭素の低振動数光散乱スペクトル
• 13pPSA-58 MBE-VLS 法で成長した ZnSe ナノワイヤーの光学特性(領域 5)
• 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
• 20pYD-6 ZnSe 薄膜中における積層欠陥の光誘起成長(TEM 内光照射その場観察)
• Evidence of edge conduction at nanotube/metal contact in carbon nanotube devices
• 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
• 半導体ナノ粒子への不純物ドーピング : 新しい発光材料の探索(最近の研究から)
• Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors
• High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges
• 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
• 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aHC-4 半導体ナノ粒子への活性不純物ドーピングと光物性(26aHC 若手奨励賞受賞記念講演/新光源・新分光法,領域5(光物性))
• 21aYH-3 ドナー及びアクセプターをドープしたコア/シェル型CdSナノ粒子の光学特性(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 23aYJ-9 単一のコア/シェル型CdS:Mn/ZnSナノ粒子における発光明滅現象(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 不純物ドープ型ナノ粒子の発光特性 (特集 発光材料)
• ナノ粒子蛍光体の光物性と広がる可能性
• 20pPSB-14 Mnイオンを添加したコア・シェル型CdSナノ粒子の空間分解発光測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 30aPS-66 ZnOナノ粒子の作製と発光特性(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 領域10,領域9「エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥」(第67回年次大会シンポジウムの報告,学会報告)
• 24aCD-2 シリコン結晶中の対応粒界の粒界転位構造と結晶成長に伴う変化(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24pCD-1 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pAH-1 シリコン中の積層欠陥とドーパント原子の相互作用エネルギー(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pAH-2 AIN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pAH-7 X線回折顕微法によるシリコン結晶中の成長時導入転位の特性の解明(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-3 Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-8 ナノインデンテーション法によるAl_xGa_N薄膜の硬度測定(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-1 高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位の発生挙動の解明(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pKA-7 Al_xGa_N薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pPSA-9 Si中の銅クラスターの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pPSA-13 Si結晶中の積層欠陥における不純物ドーパントの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28pAM-4 シリコン中におけるΣ9{114}粒界と不純物の相互作用(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク