27aXS-3 Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2013-03-26

著者

• 大野 裕

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大金研

• 山下 善文

  岡山大院自然

• 松永 拓也

  岡山大院自然

• 伏見 竜也

  岡山大院自然

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