27aRB-3 陽電子消滅法による低温電子線照射したSi-Ge単結晶中の空孔型欠陥の回復挙動(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-03-03
著者
-
米永 一郎
東北大金研
-
井上 耕治
東北大金研
-
永井 康介
東北大金研
-
長谷川 雅幸
東北大金研
-
井上 耕治
京大院工
-
井上 耕治
東北大 金属材料研
-
高見澤 悠
東北大金研
-
武内 伴照
東北大金研
-
米永 一郎
東北大
-
井上 耕治
京大工
-
高見澤 悠
東北大学大学院工学研究科
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