28pXD-1 SiGe固溶体の局所構造とひずみ緩和(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 米永 一郎

  東北大金研

• 櫻井 雅樹

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大

• 桜井 雅樹

  東北大金研

• Sluiter M.H.F.

  東北大金研

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