ラップトッププレゼンテーションの憂鬱(パソコンとビデオプロジェクターを利用した発表について思うこと)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2002-10-20
著者
関連論文
- 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pWA-12 GaN中転位の電気伝導(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pTA-10 塑性変形したGaNの電気的及び光学的性質(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXB-6 塑性変形したGaPの電気伝導(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 2p-C-9 シリコン結晶中の転位挙動に対する固溶効果
- 27pVE-9 東北大学女性研究者支援モデル育成事業におけるサイエンス・エンジェル活動(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27aRB-3 陽電子消滅法による低温電子線照射したSi-Ge単結晶中の空孔型欠陥の回復挙動(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 1p-M-8 GeSiの強度特性
- 28p-P-11 変形したシリコン結晶中からのD-バンド発光と遷移金属汚染
- 12p-DK-2 シリコン中の転位とDバンド発光
- 直流超電導送電システムの検討
- 25aB14 LHDにおける直接エネルギー変換 : 熱電変換の検討-2(プラズマ基礎/炉設計)
- Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
- 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-13 ZnO結晶の硬度特性と転位挙動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-11 ZnO中の転位の電子励起誘起運動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pYF-15 ZnO中の転位に関係する局在電子準位(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aYF-6 ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-8 塑性変形したバルクZnO単結晶の降伏強度と転位の運動(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-9 塑性変形したZnOの光学特性(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- ネルンスト・ゼーベック効果素子の形状効果 (強磁場下の物性の研究)
- 強磁場下における半導体中の転位・不純物反応 (強磁場下の物性の研究--その他)
- 強磁場下における半導体中の転位・不純物反応--磁場中その場観察実験装置による解明 (強磁場下の物性の研究--その他)
- 強磁場下における半導体中の転位の運動--酸素不純物の磁場中での拡散に関する検討 (強磁場下の物性の研究--その他)
- 強磁場下における半導体中の転移の運動 (強磁場下の物性の研究--その他)
- 20aXB-2 シリコンウェハーの大ひずみ量塑性変形(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 31pYG-1 陽電子消滅 2 次元角相関法による Si 中性複空孔のヤン・テラー効果の研究
- 20aXB-8 GaNの光吸収端の塑性変形による変化(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aYN-1 III-V族化合物半導体の塑性変形による光吸収スペクトルの変化(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aYM-11 III-V族化合物半導体の光学スペクトルの塑性変形による変化(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 27aYM-10 III-V族化合物半導体中転位の電子線ホログラフィー(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 12a-DK-6 固体ヘリウム4のサブ・バウンダリ構造
- 28p-K-5 超低温におけるSR-X線トポグラフィーによる固体ヘリウムの格子欠陥の研究II.自動撮影装置
- 28p-K-4 超低温におけるSRX線トポグラフィによる固体ヘリウムの格子欠陥の研究I.計画と経過の概要
- 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 27pXT-8 塑性変形したGaN結晶中の転位とphotoluminescence特性(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
- 26a-YE-11 常温付近での磁場中のGeおよびSiのネルンスト係数の理論計算
- 2a-YJ-13 強磁場中におけるSiのネルンスト係数および熱電能
- 2a-YJ-12 強磁場中におけるGeのネルンスト係数および熱電能
- 2a-YJ-11 常温付近での磁場中の輸送係数の理論計算
- 27p-ZN-13 BCC^3Heの格子欠陥形成と回復過程の観察
- 28p-K-6 超低温におけるSR-X線トポグラフィーによる固体ヘリウムの格子欠陥の研究III.固体ヘリウム結晶の作成と回転機構
- 4p-A3-5 X線トポグラフィによる固体ヘリウム中の転位の観察
- 蛍光X線ホログラフィーによるイメージング
- 29aA15 LE-VB法によるInp単結晶の作成と転位の評価(融液成長V)
- 30p-YK-9 GaAs, InSbの低温塑性
- 26aYK-6 ZnSe結晶中の転位の動特性(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYL-14 Siの中低温における圧縮試験
- 男女共同参画学協会連絡会アンケｰト結果速報
- ｢男女共同参画社会に向けて｣企画にあたって
- 6a-S-4 Si-Ge混晶の電子線低温照射欠陥
- 30p-E-8 Si-Ge混晶における電子線照射欠陥
- 28p-ZA-4 低温変形した半導体中の転位
- 27a-T-11 低温変形したGaAs中の転位のTEM観察
- 29aA14 μ-PD法によるLiNbO_3マイクロ単結晶作成と結晶性評価(融液成長V)
- 強磁場下における半導体中の転位の運動 (強磁場下の物性の研究--その他)
- 強磁場下における半導体中の転位・不純物反応 (強磁場下の物性の研究--その他)
- 19pXB-3 シリコン結晶中の単原子空孔 : 後藤らの論文へのコメント(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 2006年秋季(期)大会 日本鉄鋼協会・日本金属学会共同開催シンポジウム「男女共同参画活動の取り組み-魅力ある職場組織作り」報告
- 28pXD-1 SiGe固溶体の局所構造とひずみ緩和(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYM-10 シリコン中の転位・酸素不純物反応への強磁場効果(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 東北大学における男女共同参画推進の取り組み
- 29pYE-5 GeSi 全率固溶体の結晶育成における過冷却と結晶性
- 29pYE-5 GeSi 全率固溶体の結晶育成における過冷却と結晶性
- ラップトッププレゼンテーションの憂鬱(パソコンとビデオプロジェクターを利用した発表について思うこと)
- 24pYL-13 半導体結晶の硬度特性とその評価
- 30p-J-7 Si中の転位の電気的性質
- III. 半導体, セラミックスの欠陥構造 GaAs中のZ型フォールテッドダイポールの格子歪の定量評価
- 27a-T-10 塑性変形したGaAs中のZ型フォールテッドダイポールの高分解能電顕観察
- 半導体・セラミックスの欠陥構造 (ミニ特集 電子顕微鏡による材料研究の最前線(第2回)半導体・セラミックス機能材料の格子欠陥とミクロ構造の観察)
- 28a-T-11 CZ-GeSi混晶における不純物酸素
- 液状酸化ホウ素(B2O3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成
- 22pYS-6 高濃度B添加Si結晶中の転位の運動特性
- 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-16 光弾性法によるZnSe結晶中の応力分布の評価(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 17aTG-2 GaNの塑性変形
- 27aYC-5 半導体結晶の硬度特性とその温度依存性
- 第3回マイクロエレクトロニクス材料に関する国際会議(ICMM-2000)
- 英国研究費事情
- シリコンの強度
- 27a-T-13 III-V族化合物半導体の降伏応力の温度依存性
- マックスプランク研究所微小構造物理部門(ハレ)
- 7a-S-2 GaAs結晶中のZ型転位双極子の高分解能顕微鏡観察
- 29a-E-11 GeSiの強度特性-III
- GeSiの強度特性-II
- 25p-H-9 III-V化合物半導体における転位の運動
- 4a-Z-4 GaAs結晶中の転位のX線トポグラフ観察
- 30a-F-7 InP結晶の強度と転位の動特性
- 4p-A3-1 不純物を固溶するGaAs結晶中の転位の動的挙動と機械的性質
- 27p-K-7 不純物を固溶するGaAs結晶中の転位の動的挙動
- 2p-G-6 定応力負荷速度下でのSi結晶の塑性変形挙動