27aXS-1 高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位の発生挙動の解明(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2013-03-26

著者

• 大野 裕

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大金研

• 徳本 有紀

  東北大金研

• 井上 海平

  東北大学金属材料研究所

• 井上 海平

  東北大金研

• 沓掛 健太朗

  東北大金研

• 後藤 頼良

  東北大金研

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