沓掛 健太朗 | 東北大金研
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概要
関連著者
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大野 裕
東北大金研
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米永 一郎
東北大金研
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徳本 有紀
東北大金研
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沓掛 健太朗
東北大金研
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井上 海平
東北大金研
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三宅 秀人
三重大工
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大野 裕
阪大院理
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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井上 海平
東北大学金属材料研究所
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沓掛 健太朗
東北大金研:JSTさきがけ
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種市 寛人
東北大金研
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後藤 頼良
東北大金研
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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井上 耕治
東北大金研
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永井 康介
東北大金研
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高見澤 悠
東北大金研
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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表 和彦
リガク
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清水 康雄
東北大金研
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
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太子 敏則
信州大学工学部
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吉田 秀人
阪大産研
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竹田 精治
阪大産研
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太子 敏則
信州大工
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正木 佳宏
関学理工
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西谷 滋人
関学理工
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海老澤 直樹
東北大金研
著作論文
- 24aCD-2 シリコン結晶中の対応粒界の粒界転位構造と結晶成長に伴う変化(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-1 シリコン中の積層欠陥とドーパント原子の相互作用エネルギー(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-2 AIN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-7 X線回折顕微法によるシリコン結晶中の成長時導入転位の特性の解明(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-8 ナノインデンテーション法によるAl_xGa_N薄膜の硬度測定(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-1 高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位の発生挙動の解明(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-7 Al_xGa_N薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))