太子 敏則 | 信州大学工学部

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概要

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• 同名の論文著者
• 信州大学工学部の論文著者

関連著者

• 太子 敏則

  信州大学工学部

• Ohno Y

  Nagoya Univ. Naogya Jpn

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

• 米永 一郎

  東北大

• 徳本 有紀

  東北大金研

• 大野 裕

  東北大学金属材料研究所

• 米永 一郎

  東北大金研

• 徳本 有紀

  東北大学金属材料研究所

• 大野 裕

  東北大金研

• 大野 裕

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• 太子 敏則

  東北大金研

• 大野 裕

  阪大院理

• 米永 一郎

  東北大学金属材料研究所

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Okigawa Yuki

  Graduate School Of Engineering Nagoya University

• 米永 一郎

  東北大金属材料研究所

• 村尾 優

  東北大学金属材料研究所

• 太子 敏則

  信州大学工学研究科

• 沓掛 健太朗

  東北大学金属材料研究所

• 太子 敏則

  信州大学カーボン科学研究所

• 井上 海平

  東北大学金属材料研究所

• 井上 海平

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大学金属材料研究所、男女共同参画委員会、女性研究者育成支援推進室

• 太子 敏則

  東北大学金属材料研究所

• 大澤 隆亮

  東北大金研

• 深海 龍夫

  信州大学工学部電気電子工学科

• 干川 圭吾

  信州大学教育学部

• 干川 圭吾

  信州大学教育学部教育実践研究指導センター

• 黄 新明

  Ja Solar Holdings Co. Ltd.

• 黄 新明

  信州大学教育学部

• 干川 圭吾

  信州大

• 久保田 政芳

  住友金属鉱山(株)

• 梶ケ谷 富男

  住友金属鉱山(株)

• 大澤 隆亨

  東北大学金属材料研究所

• 深海 龍夫

  信州大学工学部

• 伊勢 秀彰

  東北大金研

• 成田 一生

  東北大学金属材料研究所

• 太子 敏則

  信州大工

• 末澤 正志

  東北大金研

• Vanhellemont Jan

  Institute for Materials Research, Tohoku University

• 表 和彦

  リガク

• 末澤 正志

  東北大・金研

• 太子 敏則

  信州大カーボン科学研究所

• Vanhellemont Jan

  Institute For Materials Research Tohoku University

• 伊勢 秀彰

  東北大学金属材料研究所

• 沓掛 健太朗

  東北大金研

• 後藤 頼良

  東北大金研

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著作論文

• 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
• 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
• 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
• 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
• 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 液状酸化ホウ素(B_2O_3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成
• 24pCD-6 IV族不純物添加ゲルマニウム結晶中の転位の運動(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aCD-4 赤外吸収による熱処理したGe単結晶内の格子間酸素の測定(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 19pAR-5 ゲルマニウム単結晶における酸素の熱処理による拳動(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-9 Ge単結晶におけるサーマルドナーの赤外吸収スペクトル(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pKA-6 高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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