高濃度ボロン添加シリコン結晶成長

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概要

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本研究では、高濃度ボロン添加シリコン結晶育成におけるボロンの偏析係数と単結晶育成のための限界濃度、高濃度添加することによって生じる多結晶化の原因について調査するため、融液中のボロンの初期濃度が10^<18>~10^<21>atoms/cm^3の範囲で結晶育成を行った。偏析係数は融液中のボロン濃度の増加に伴って0.8から減少し、特に10^<20>atoms/cm^3以上で顕著に変化し約0.3まで減少することが明らかになった。単結晶育成のための限界濃度は、結晶中で3×10^<20>atoms/cm^3程度であることがわかった。また、高濃度ボロン添加における多結晶化の原因は、組成的過冷却の発生によるものであることを確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-05-20

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