22aA4 高濃度B添加CZ-Si結晶成長(バルク成長I)
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概要
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Heavily boron-doped silicon single crystal growth was studied by Czochralski method. The distribution coefficient of boron decreased with increasing the doped boron concentration of more than 10^<20> atoms/cm^3. Single crystal growth was limited by the cellular growth of constitutional supercooling.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
-
太子 敏則
東北大学金属材料研究所
-
深海 龍夫
信州大学工学部電気電子工学科
-
干川 圭吾
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
-
干川 圭吾
信州大・教育
-
太子 敏則
信州大・工
-
黄 新明
信州大・教
-
深海 龍夫
信州大・工
-
干川 圭吾
信州大
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