大きな濃度差を持つ固液界面での不純物拡散数値解析(半導体結晶成長III)
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概要
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The numerical calculation was carried out to estimate the mechanism of boron diffusion during seeding process. The analysis clarified that diffusion in solid is a main factor of boron distribution in the crystal. Moreover, the effects of growth speed and annealing process on the distribution of boron were also discussed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
太子 敏則
東北大学金属材料研究所
-
太子 敏則
信州大学教育学部
-
柿本 浩一
九大応用力研
-
干川 圭吾
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
劉 立軍
九大
-
干川 圭吾
信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
-
劉 立軍
九大応用力学研究所
-
干川 圭吾
信州大
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