27aA6 EFG法によるルチル単結晶の成長(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本結晶成長学会の論文
- 1993-07-10
著者
-
福田 承生
東北大学金属材料研究所
-
福田 承生
東北大学
-
干川 圭吾
信州大学
-
町田 博
Necトーキン
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
町田 博
秩父小野田株式会社
-
町田 博
秩父セメント(株)ファインセラミック本部
-
干川 圭吾
信州大
関連論文
- CZ 法育成におけるGd_3Ga_5O_単結晶のねじれ・曲がり現象(「融液成長における不安定性」)
- 液状燐被履直接合成引上げ法によるInP結晶成長
- InドープGaAs結晶のセル成長 : 融液成長II
- 新圧電結晶ランガサイト
- 不定比ペロブスカイト型化合物ErRh_3B_xの硬さ及び耐酸化性
- 不定比ペロブスカイト型化合物YRh_3B_x, YRh_3C_x及びYRh_3B_xC_のB又はC量xの変化に伴う格子定数の変化
- 不定比性プロブスカイト型化合物ScRh_3B_xの硬度と耐酸化性
- 不定比性ペロブスカイト型化合物GdRh_3B_xの硬度と耐酸化性
- バルク結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- ホモおよびヘテロエピタキシャル ZnSe 層のフォトルミネッセンス
- ライカフ結晶
- 2次元マランゴニ対流におけるプランドル数の役割
- ペロブスカイト型化合物RERh_3B_x(RE=La, Lu)の合成及びB不定比性, 硬度に関する研究
- 真空紫外光学応用が期待されるフッ化物単結晶
- W_5Si_3 型新三元系化合物Nb_5(Ge_xSn_)_2Ge (; x=0.25〜0.40) の結晶成長
- 圧電単結晶の歴史と最近話題の単結晶
- 溶融Cuをフラックスとして得た新しい層状化合物PrRh_B_2単結晶の化学状態及び性質
- 強磁場印加による対流制御とマクロ偏析 --方向凝固(Bi,Sb)_2 Te_3における半径方向のマクロ偏析-
- アークおよびスカル溶融反応法で合成したペロブスカイト型CeGaO_3の結晶構造
- 希土類オルトアルミン酸塩のア-ク溶融法による合成
- 連続チャージ引き上げ法による非調和組成融液からのニオブ酸リチウム単結晶作成とその光学特性(LN,LT結晶の育成と光損傷)
- 非コングルエント融液からの均一組成LiNbO_3単結晶作成 : 融液成長II
- 強磁場による濃度分布制御・組織制御
- 高温度銅融液から合成したPrRh_B_2単結晶の育成, 電気抵抗率, 硬さ及び熱的性質
- 大きいサイズのCe : LiCAF結晶を用いた紫外レーザーからの30mJパルスの発生
- 静磁場による包晶化合物BiMnの凝固組織制御
- 新機能ラマン結晶の作成とラマン過程の制御
- 銅ハース水平移動式アーク溶融法によるペロブスカイト型CeMO_3(M=Al, Ga)の合成, ミクロ組織及び結晶構造
- MLEC法GaAs結晶中のストリエーション
- LEC法不純物添加GaAs単結晶
- (Dy_Gd_x)_3Ga_5O_,Dy_3(Ga_Al_y)_5O_ 単結晶の光吸収特性 : 酸化物融液成長I
- ラマン結晶La_2(WO_4)_3の作成と特性評価
- 半絶縁性GaAsの比抵抗と移動度の測定
- X線透視法による砒素雰囲気LEC法GaAs結晶 : 融液成長III
- GaAs単結晶作成における固液界面 : 融液成長II
- アーク溶融法によるRGaO_3の合成と性質,RAlO_3との比較
- KFフラックス法によるペロブスカイト型LuAlO_3単結晶の常圧合成
- CeAIO_3の溶融合成
- KFをフラクッスとして得た正方晶系CeAlO_3 単結晶
- 酸化物融液表面上における流動現象(バルク成長)
- 29aA15 LE-VB法によるInp単結晶の作成と転位の評価(融液成長V)
- LE-VB法によるInP単結晶の育成 : 融液成長IV
- 酸化物バルク単結晶CZ育成過程に生じる割れの定量的評価 : 第1報,熱応力解析プログラムの開発
- バルク単結晶CZ育成過程の熱応力解析 : 各種単結晶における異方性の効果
- チョコラルスキー法によるバルク単結晶成長過程の熱応力解析 : 異方性解析と等方性解析の比較
- GaAs単結晶中不純物のラウンドロビン分析-2-8研究機関による炭素の赤外吸収分析
- マイクロ単結晶の作製
- イオン性融液からの結晶成長における育成パラメータの選択(結晶成長における物質・熱輸送
- マイクロ引き下げ法における界面電界の偏析に与える影響について : 半径方向の解析
- GaAs引上げ結晶高品質化への2つの重要課題--(1)発表された"無転位結晶"はほんとうに無転位か(2)ストイキオメトリ-(結晶の組成制御)はどこまで可能か (Annual Review ′85--新市場編)
- 溶融Cuをフラックスとする新しい四元系化合物ErRh_2B_2C単結晶の合成及び物性
- ペロブスカイト型化合物HoRh_3Bのア-ク溶融合成と性質
- Er-Ba-Cu-Pt-O系新化合物の結晶構造および物性
- 電子エネルギー損失スペクトルによるホウ化ロジウムホルミウム中のホウ素の測定
- GdCo_2B_2C_x(x=0〜1)の合成及びC量xの変化に伴う結晶構造の変化に関する研究
- 高品質・大口径GaAs単結晶の製造
- ガリウム砒素結晶製造時の磁場とその効果 (高純度化の技術)
- EFG 法ルチル単結晶の不安定成長(「融液成長における不安定性」)
- 27aA6 EFG法によるルチル単結晶の成長(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- LiTaO_3単結晶育成に及ぼす熱移動と制御 : 融液成長I
- KLN結晶による青色光発生
- m-PD法によるLiNbO_3ファイバー結晶作成に見られる異常偏析現象について : バルク成長 V フローティングゾーン法
- GaAs融液内温度分布の磁場効果
- 磁場印加Ga As単結晶作成 : 融液成長
- 大型Ga As単結晶の引上げ : 融液成長
- アンドープ半絶縁性GaAs中のストリエーションと電気特性
- 故倉元信行氏追悼文
- GaAs基板結晶の最近の動向
- 磁場中単結晶成長--GaAs
- アンドープ半絶縁性GaAs単結晶"その場融液純化引上げ"
- るつぼ封止VB法によるニオブ酸カリウム結晶の一方向凝固(機能性結晶IV)
- CW laser oscillation of Nd doped LiTaO_3 crystal
- Nd:LiTaO_3による1.092μm室温レーザ発振
- Cz法によるDyAlO_3単結晶作成 : 融液成長III
- 異種原子価陽イオン対を用いた新しいKTP 型置換体結晶の作成 : バルク成長 III 融液物性
- 光アイソレーター素子基板用ガーネット単結晶の作製
- KC1フラックスを用いて合成した複合結晶 [ Sr_2Cu_2O_3 ] _x[ CuO_2 ] ( x=0.696 )
- バルク成長分科会(日本給晶成長学会創立20周年記念特集)
- 磁場中で運動する導体の電流分布測定II : 融液成長II
- KNbO_3単結晶育成における長尺化柔件の検討 : 融液成長I
- バルク成長分科会の活動と特集号(バルク成長(II))
- Cz法による新レーザー結晶CNGG単結晶の育成 : 融液成長III
- Cz法によるLiBO_2単結晶の育成とその評価 : 融液成長III
- VMCZ法シリコン結晶育成における酸素混入機構
- シリコンおよび化学物半導体のバルク単結晶成長
- アンドープ半絶縁性GaAs単結晶の転位分布
- 30p-H-6 III-V化合物半導体中の欠陥と結晶成長
- プログラム磁場印加LEC法による不純物分布制御
- MLEC法における熱対流シミュレーション
- 結晶成長大国(関連学会代表挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 酸化物単結晶作成におけるTwisting (原子レベルでの結晶成長機構) -- (環境相と成長機構)
- X線透視付LEC法装置開発と結晶成長その場観察
- GaAs結晶不純物偏析に対する磁場印加効果 : II. LEC GaAgにおける偏析現象
- 一方向凝固(Bi, Sb)_2Te_3 のマクロ偏析に及ぼす磁場の効果
- 酸化物単結晶作成時の元素の分配 : イオン半径と偏析係数の関係
- 不定比Nb_5Sn_2Ga単結晶の化学組成,結晶構造,超伝導転移の関連
- 最近のGaAs単結晶育成技術
- 非線形光学有機結晶の融液成長 : Part1 機能性有機分子の分子設計と結晶成長
- 溶融金属フラックス法による ErRh_3B_2 単結晶の合成
- 酸化物単結晶作成における内部輻射 : 結晶の色と熱移動