バルク単結晶CZ育成過程の熱応力解析 : 各種単結晶における異方性の効果
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概要
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Thermal stress analyses of Si, GaAs and InP bulk single crystals during Czochralski growth are performed in the cases of [001] and [111] pulling directions, using a three-dimensional finite element program. Elastic anisotropy is taken into account in this program. The stress components obtained from the thermal stress analysis are converted into the parameter σ_<tot> representing the effective stress for glide strains. The values and distribution patterns of σ_<tot> obtained in the anisotropic analysis taking account of elastic anisotropy are compared with those obtained in the isotropic analysis using Young's modulus and Poisson's ratio in the {111} plane.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 1992-10-25
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