GaAs融液内温度分布の磁場効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本結晶成長学会の論文
- 1984-07-05
著者
-
福田 承生
東北大学金属材料研究所
-
福田 承生
光技術共同研究所
-
勝亦 徹
東洋大・工
-
勝亦 徹
光技術共同研究所
-
寺嶋 一高
光技術共同研究所
-
小沢 章一
光技術共同研究所
-
小沢 章一
古河電工・横浜研
-
福田 承生
光技術共同研
関連論文
- CZ 法育成におけるGd_3Ga_5O_単結晶のねじれ・曲がり現象(「融液成長における不安定性」)
- 液状燐被履直接合成引上げ法によるInP結晶成長
- InドープGaAs結晶のセル成長 : 融液成長II
- 新圧電結晶ランガサイト
- 二重るつぼ引上法の原料供給自動化と応用 : 酸化物融液成長II
- 不定比ペロブスカイト型化合物ErRh_3B_xの硬さ及び耐酸化性
- 不定比ペロブスカイト型化合物YRh_3B_x, YRh_3C_x及びYRh_3B_xC_のB又はC量xの変化に伴う格子定数の変化
- 不定比性プロブスカイト型化合物ScRh_3B_xの硬度と耐酸化性
- 不定比性ペロブスカイト型化合物GdRh_3B_xの硬度と耐酸化性
- ホモおよびヘテロエピタキシャル ZnSe 層のフォトルミネッセンス
- ライカフ結晶
- 2次元マランゴニ対流におけるプランドル数の役割
- ペロブスカイト型化合物RERh_3B_x(RE=La, Lu)の合成及びB不定比性, 硬度に関する研究
- 真空紫外光学応用が期待されるフッ化物単結晶
- W_5Si_3 型新三元系化合物Nb_5(Ge_xSn_)_2Ge (; x=0.25〜0.40) の結晶成長
- 圧電単結晶の歴史と最近話題の単結晶
- 溶融Cuをフラックスとして得た新しい層状化合物PrRh_B_2単結晶の化学状態及び性質
- 強磁場印加による対流制御とマクロ偏析 --方向凝固(Bi,Sb)_2 Te_3における半径方向のマクロ偏析-
- 17aC03 天然水晶における底面の出現(結晶評価・その場観察(1),第35回結晶成長国内会議)
- ホウ酸リチウム, ホウ酸バリウム単結晶の新しい成長技術の開発 : 融液成長I
- 蓄光理蛍光体の結晶成長と評価
- アークおよびスカル溶融反応法で合成したペロブスカイト型CeGaO_3の結晶構造
- 希土類オルトアルミン酸塩のア-ク溶融法による合成
- 連続チャージ引き上げ法による非調和組成融液からのニオブ酸リチウム単結晶作成とその光学特性(LN,LT結晶の育成と光損傷)
- 強磁場による濃度分布制御・組織制御
- 高温度銅融液から合成したPrRh_B_2単結晶の育成, 電気抵抗率, 硬さ及び熱的性質
- 大きいサイズのCe : LiCAF結晶を用いた紫外レーザーからの30mJパルスの発生
- 静磁場による包晶化合物BiMnの凝固組織制御
- 新機能ラマン結晶の作成とラマン過程の制御
- 銅ハース水平移動式アーク溶融法によるペロブスカイト型CeMO_3(M=Al, Ga)の合成, ミクロ組織及び結晶構造
- マイクログラビティでの高温結晶成長その場観察 : 基礎(実験)I
- MLEC法GaAs結晶中のストリエーション
- LEC法不純物添加GaAs単結晶
- (Dy_Gd_x)_3Ga_5O_,Dy_3(Ga_Al_y)_5O_ 単結晶の光吸収特性 : 酸化物融液成長I
- P51 パルス加熱法による土壌の熱特性評価
- ラマン結晶La_2(WO_4)_3の作成と特性評価
- 蛍光温度計用センサ材料の探索
- 蛍光画像を用いた蛍光温度計測の試み (第25回センシングフォーラム資料--センシング技術の新たな展開と融合) -- (温度計測)
- 蛍光シートを利用した温度計測 (第24回センシングフォーラム資料--センシング技術の新たな展開と融合) -- (温度計測)
- 熱画像解析による土壌特性の二次元評価 (第24回センシングフォーラム資料--センシング技術の新たな展開と融合) -- (リモートセンシング)
- 02aA02 蛍光温度計センサ用結晶材料の育成と評価(機能性結晶(2),第36回結晶成長国内会議)
- 蛍光温度センサーによる温度計測
- 蛍光材料の温度センサーへの応用 ([日本電子材料技術協会]第42回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
- 蛍光温度計センサ材料の探索と評価 (第23回センシングフォーラム 資料--センシング技術の新たな展開と融合) -- (セッション2A2 温度計測2)
- 蛍光温度計のための希土類添加ガーネット結晶の育成と評価 (第22回センシングフォーラム 資料--センシング技術の新たな展開と融合) -- (セッション2D2 温度計測)
- 蛍光プレートを利用した非接触温度計測の検討 (第22回センシングフォーラム 資料--センシング技術の新たな展開と融合) -- (セッション2D2 温度計測)
- 半絶縁性GaAsの比抵抗と移動度の測定
- X線透視法による砒素雰囲気LEC法GaAs結晶 : 融液成長III
- GaAs単結晶作成における固液界面 : 融液成長II
- アーク溶融法によるRGaO_3の合成と性質,RAlO_3との比較
- KFフラックス法によるペロブスカイト型LuAlO_3単結晶の常圧合成
- CeAIO_3の溶融合成
- KFをフラクッスとして得た正方晶系CeAlO_3 単結晶
- 酸化物融液表面上における流動現象(バルク成長)
- 酸化物バルク単結晶CZ育成過程に生じる割れの定量的評価 : 第1報,熱応力解析プログラムの開発
- バルク単結晶CZ育成過程の熱応力解析 : 各種単結晶における異方性の効果
- チョコラルスキー法によるバルク単結晶成長過程の熱応力解析 : 異方性解析と等方性解析の比較
- マイクロ単結晶の作製
- イオン性融液からの結晶成長における育成パラメータの選択(結晶成長における物質・熱輸送
- マイクロ引き下げ法における界面電界の偏析に与える影響について : 半径方向の解析
- GaAs引上げ結晶高品質化への2つの重要課題--(1)発表された"無転位結晶"はほんとうに無転位か(2)ストイキオメトリ-(結晶の組成制御)はどこまで可能か (Annual Review ′85--新市場編)
- 溶融Cuをフラックスとする新しい四元系化合物ErRh_2B_2C単結晶の合成及び物性
- ペロブスカイト型化合物HoRh_3Bのア-ク溶融合成と性質
- Er-Ba-Cu-Pt-O系新化合物の結晶構造および物性
- 電子エネルギー損失スペクトルによるホウ化ロジウムホルミウム中のホウ素の測定
- GdCo_2B_2C_x(x=0〜1)の合成及びC量xの変化に伴う結晶構造の変化に関する研究
- 高品質・大口径GaAs単結晶の製造
- ガリウム砒素結晶製造時の磁場とその効果 (高純度化の技術)
- EFG 法ルチル単結晶の不安定成長(「融液成長における不安定性」)
- 27aA6 EFG法によるルチル単結晶の成長(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- KLN結晶による青色光発生
- m-PD法によるLiNbO_3ファイバー結晶作成に見られる異常偏析現象について : バルク成長 V フローティングゾーン法
- GaAs融液内温度分布の磁場効果
- 磁場印加Ga As単結晶作成 : 融液成長
- 大型Ga As単結晶の引上げ : 融液成長
- アンドープ半絶縁性GaAs中のストリエーションと電気特性
- 故倉元信行氏追悼文
- GaAs基板結晶の最近の動向
- 磁場中単結晶成長--GaAs
- アンドープ半絶縁性GaAs単結晶"その場融液純化引上げ"
- CW laser oscillation of Nd doped LiTaO_3 crystal
- Nd:LiTaO_3による1.092μm室温レーザ発振
- 異種原子価陽イオン対を用いた新しいKTP 型置換体結晶の作成 : バルク成長 III 融液物性
- 光アイソレーター素子基板用ガーネット単結晶の作製
- KC1フラックスを用いて合成した複合結晶 [ Sr_2Cu_2O_3 ] _x[ CuO_2 ] ( x=0.696 )
- シリコンおよび化学物半導体のバルク単結晶成長
- アンドープ半絶縁性GaAs単結晶の転位分布
- 30p-H-6 III-V化合物半導体中の欠陥と結晶成長
- プログラム磁場印加LEC法による不純物分布制御
- MLEC法における熱対流シミュレーション
- 結晶成長大国(関連学会代表挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 酸化物単結晶作成におけるTwisting (原子レベルでの結晶成長機構) -- (環境相と成長機構)
- X線透視付LEC法装置開発と結晶成長その場観察
- GaAs結晶不純物偏析に対する磁場印加効果 : II. LEC GaAgにおける偏析現象
- 一方向凝固(Bi, Sb)_2Te_3 のマクロ偏析に及ぼす磁場の効果
- 酸化物単結晶作成時の元素の分配 : イオン半径と偏析係数の関係
- 不定比Nb_5Sn_2Ga単結晶の化学組成,結晶構造,超伝導転移の関連
- 非線形光学有機結晶の融液成長 : Part1 機能性有機分子の分子設計と結晶成長
- 溶融金属フラックス法による ErRh_3B_2 単結晶の合成
- 酸化物単結晶作成における内部輻射 : 結晶の色と熱移動