福田 承生 | 光技術共同研
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概要
関連著者
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福田 承生
東北大学金属材料研究所
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福田 承生
光技術共同研
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福田 承生
光技術共同研究所
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勝亦 徹
東洋大・工
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小沢 章一
古河電工・横浜研
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勝亦 徹
光技術共同研究所
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折戸 文夫
三菱化成株式会社総合研究所
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福田 承生
光共研
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中島 眞人
光技術共同研究所
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中島 真人
光技術共同研
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寺嶋 一高
光技術共同研究所
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小沢 章一
光技術共同研究所
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折戸 文夫
光技術共同研究所
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岡田 英夫
光技術共同研究所
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稲田 知己
日立電線(株)
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宮入 広雄
光共研
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寺島 一高
光共研
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中島 眞人
光技術共同研
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藤井 高志
(株)村田製作所
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藤井 高志
(株)宇宙環境利用研究所第2研究室
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宮入 広雄
光技術共同研究所
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江口 実
Nec
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中島 宏明
光技術共同研究所
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稲田 知己
光共研
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藤井 高志
光共研
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江口 実
光共研
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藤井 高志
光技術共同研究所
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稲田 知己
光技術共同研究所
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福田 承生
東北大学
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久保 方武
光技術共同研究所
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江森 春夫
光技術共同研究所
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江口 実
光技術共同研究所
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林 厳雄
光技術共同研究所
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小沢 章一
古河電工(株) 光技術研究所
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菊田 俊夫
古河電工・横浜研
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菊田 俊夫
光技術共同研究所
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勝亦 徹
光共研
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中島 宏明
光共研
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飯塚 隆
光技術共同研究所
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久保 方武
光技術共同研
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折戸 文夫
三菱化成(株)
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折戸 文夫
光共研
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小沢 章一
光共研
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木村 直
光共研
著作論文
- 液状燐被履直接合成引上げ法によるInP結晶成長
- InドープGaAs結晶のセル成長 : 融液成長II
- MLEC法GaAs結晶中のストリエーション
- LEC法不純物添加GaAs単結晶
- 半絶縁性GaAsの比抵抗と移動度の測定
- X線透視法による砒素雰囲気LEC法GaAs結晶 : 融液成長III
- GaAs単結晶作成における固液界面 : 融液成長II
- GaAs引上げ結晶高品質化への2つの重要課題--(1)発表された"無転位結晶"はほんとうに無転位か(2)ストイキオメトリ-(結晶の組成制御)はどこまで可能か (Annual Review ′85--新市場編)
- 高品質・大口径GaAs単結晶の製造
- ガリウム砒素結晶製造時の磁場とその効果 (高純度化の技術)
- GaAs融液内温度分布の磁場効果
- 磁場印加Ga As単結晶作成 : 融液成長
- 大型Ga As単結晶の引上げ : 融液成長
- アンドープ半絶縁性GaAs中のストリエーションと電気特性
- 故倉元信行氏追悼文
- GaAs基板結晶の最近の動向
- 磁場中単結晶成長--GaAs
- アンドープ半絶縁性GaAs単結晶"その場融液純化引上げ"
- シリコンおよび化学物半導体のバルク単結晶成長
- アンドープ半絶縁性GaAs単結晶の転位分布
- 30p-H-6 III-V化合物半導体中の欠陥と結晶成長
- プログラム磁場印加LEC法による不純物分布制御
- MLEC法における熱対流シミュレーション
- 結晶成長大国(関連学会代表挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 酸化物単結晶作成におけるTwisting (原子レベルでの結晶成長機構) -- (環境相と成長機構)
- X線透視付LEC法装置開発と結晶成長その場観察
- GaAs結晶不純物偏析に対する磁場印加効果 : II. LEC GaAgにおける偏析現象