江口 実 | Nec

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概要

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• Necの論文著者

関連著者

• 江口 実

  Nec

• 日比谷 孟俊

  ウィーン工科大学熱流体力学研究所

• 渡辺 匡人

  NEC

• 日比谷 孟俊

  首都大学東京

• 渡邉 匡人

  学習院大 理

• 江口 実

  NEC基礎研究所

• 日比谷 孟俊

  NEC基礎研

• 渡辺 匡人

  NEC基礎研究所

• 渡辺 匡人

  学習院大学理学部

• 柿本 浩一

  九州大学応用力学研究所

• 日比谷 孟俊

  日本電気(株)基礎研究所

• 江口 実

  日本電気(株)基礎研究所

• 柿本 浩一

  日本電気(株)基礎研究所

• 中村 新

  日本電気(株)基礎研究所

• 莇 丈史

  日本電気

• 日比谷 孟俊

  日本電気(株)

• 日比谷 孟俊

  東工大

• 柿本 浩一

  Nec基礎研究所

• 中村 新

  NEC基礎研究所

• 莇 丈史

  NEC基礎研

• 渡辺 匡人

  日本電気(株)基礎研究所

• 日比谷 孟俊

  日本電気

• 福田 承生

  東北大学金属材料研究所

• 李 京雨

  NEC基礎研究所

• 江口 実

  NEC 基礎研究所

• 江口 実

  日本電気株式会社

• 渡辺 久夫

  日本電気(株)基礎研究所

• 日比谷 孟俊

  日本電気基礎研究所

• 江口 実

  日本電気基礎研

• 日比谷 孟悛

  NEC基礎研究所

• 福田 承生

  光技術共同研

• 木村 滋

  JASRI

• 藤井 高志

  (株)村田製作所

• 藤井 高志

  (株)宇宙環境利用研究所第2研究室

• 稲田 知己

  光共研

• 藤井 高志

  光共研

• 江口 実

  光共研

• 福田 承生

  光共研

• 宮入 広雄

  光技術共同研究所

• 中島 眞人

  光技術共同研究所

• 福田 承生

  光技術共同研究所

• 宮沢 靖人

  無機材質研究所

• 莇 丈史

  NECグリーンイノベーション研究所

• 日比谷 孟俊

  日本電気株式会社 研究開発グループ主席研究員

• 日比谷 孟俊

  Nec 基礎研

• 中島 真人

  光技術共同研

• 中村 新

  NEC 基礎研究所

• 柿本 浩一

  NEC 基礎研究所

• 庄 俊之

  NEC 基礎研究所

• 木村 滋

  マイクロエレ研

• 日比谷 孟俊

  Nec

• 日比谷 孟俊

  日本電気株式会社基礎研究所

• 小沢 章一

  光技術共同研究所

• 江口 実

  光技術共同研究所

• 江口 実

  NEC R&Dサポート

• LANGEN Mario

  ドイツ航空宇宙研

• EGRY Ivan

  ドイツ航空宇宙研

• マリオ ランゲン

  ドイツ航空宇宙研究所

• イワン エグリ

  ドイツ航空宇宙研究所

• Pryzborowski M.

  DLR ドイツ航空宇宙研究所

• Egry I.

  DLR ドイツ航空宇宙研究所

• 倉垣 俊二

  住友金属

• 渡辺 匡人

  日本電気株式会社基礎研究所

• 王 偉

  日本電気株式会社基礎研究所

• 日比谷 孟俊

  NEC研究開発グループ

• 小沢 章一

  古河電工・横浜研

• 稲田 知己

  日立電線(株)

• 宮入 広雄

  光共研

• 柿本 浩一

  日本電気基礎研

• 渡辺 匡人

  日本電気基礎研

• 小野 春彦

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 荒井 正之

  豊橋技術科学大学

• 渡辺 匡人

  日本電気・基礎研

• 江口 実

  日本電気・基礎研

• 柿本 浩一

  日本電気・基礎研

• 日比谷 孟俊

  日本電気・基礎研

• 小野 春彦

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 中島 眞人

  光技術共同研

• 木村 滋

  (財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室

• 江口 実

  日本電気 (株) 基礎研究所

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著作論文

• 液状燐被履直接合成引上げ法によるInP結晶成長
• シリコン融液中における酸素移動現象の磁場印加効果 : 液体物性
• 融液対流と結晶中の不純物濃度分分布との相関 : 融液成長(シリコン関連) I
• X線透視法による砒素雰囲気LEC法GaAs結晶 : 融液成長III
• F206 CZ-Siメルト表面のスポークパターン形成における表面張力起因対流の役割(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
• CZ-Siメルト表面のネットワークパターン形成における表面張力起因対流の役割
• シリコンメルト表面におけるベナールセルの観測
• 24aB2 浅いシリコンメルト表面における温度変動(バルク成長VII)
• シリコンメルト表面の非接触温度測定
• 電磁浮遊を用いた過冷却温度領域を含むシリコン融液の密度測定
• 電磁浮遊を用いた過冷却温度領域を含むシリコン融液密度の密度測定
• 電磁浮遊法を用いた過冷却状態を含むシリコン融液の表面張力測定 : 融液成長(シリコン関連) I
• F204 EMCZ法による8インチSi単結晶育成中の熱物質輸送(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
• 酸化物メルトの電磁力による回転 : バルク成長V
• 導電性るつぼ内のSiメルトの自発回転 : バルク成長II
• 電流磁場印加引上げ法(EMCZ法)によるシリコン単結晶中の酸素濃度制御(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
• 24aB3 電流磁場印加結晶引上げ法(EMCZ法)によるSi結晶中の酸素濃度制御(バルク成長VII)
• 電流磁場印加法(EMCZ)により育成したSi単結晶中の酸素濃度分布 : 融液物性II
• 電磁力によるSi融液の回転 : 融液物性II
• カスプ磁場印加法により育成したSi単結晶中の酸素濃度変動
• シリコン単結晶製造時における融液の流れ
• 27pA3 CZ単結晶育成中におけるSi融液対流速度の垂直磁場による変化(バルク結晶成長シンポジウムII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
• 溶融半導体からの結晶成長における流れの直接観察
• X線透視法によるシリコン融体の対流直接観測 : 実験とシミュレーションとの対応
• ダブルビームX線透視法によるCzSi単結晶育成時の融液対流三次元可視化観察 : 融液成長IV
• 数値計算によるSi融液中の熱と物質の輸送現象の理解 : 融液成長VI
• Si融液対流と育成結晶中のストリエーションとの相関 : 融液成長VI
• CZ法におけるSi融液対流の三次元構造(バルク成長(II))
• Si融液対流の三次元解析 : 軸対称流について : 融液成長V

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