江口 実 | NEC基礎研究所
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概要
関連著者
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江口 実
Nec
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江口 実
NEC基礎研究所
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日比谷 孟俊
NEC基礎研
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渡辺 匡人
NEC
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渡辺 匡人
NEC基礎研究所
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渡邉 匡人
学習院大 理
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渡辺 匡人
学習院大学理学部
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日比谷 孟俊
ウィーン工科大学熱流体力学研究所
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日比谷 孟俊
首都大学東京
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中村 新
日本電気(株)基礎研究所
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莇 丈史
日本電気
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日比谷 孟俊
東工大
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柿本 浩一
Nec基礎研究所
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中村 新
NEC基礎研究所
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莇 丈史
NEC基礎研
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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李 京雨
NEC基礎研究所
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日比谷 孟悛
NEC基礎研究所
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宮沢 靖人
無機材質研究所
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莇 丈史
NECグリーンイノベーション研究所
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中村 新
NEC 基礎研究所
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日比谷 孟俊
Nec
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倉垣 俊二
住友金属
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日比谷 孟俊
NEC研究開発グループ
著作論文
- シリコン融液中における酸素移動現象の磁場印加効果 : 液体物性
- CZ-Siメルト表面のネットワークパターン形成における表面張力起因対流の役割
- シリコンメルト表面におけるベナールセルの観測
- 24aB2 浅いシリコンメルト表面における温度変動(バルク成長VII)
- シリコンメルト表面の非接触温度測定
- F204 EMCZ法による8インチSi単結晶育成中の熱物質輸送(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
- 酸化物メルトの電磁力による回転 : バルク成長V
- 導電性るつぼ内のSiメルトの自発回転 : バルク成長II
- 24aB3 電流磁場印加結晶引上げ法(EMCZ法)によるSi結晶中の酸素濃度制御(バルク成長VII)
- 電流磁場印加法(EMCZ)により育成したSi単結晶中の酸素濃度分布 : 融液物性II
- 電磁力によるSi融液の回転 : 融液物性II
- カスプ磁場印加法により育成したSi単結晶中の酸素濃度変動
- シリコン単結晶製造時における融液の流れ
- 27pA3 CZ単結晶育成中におけるSi融液対流速度の垂直磁場による変化(バルク結晶成長シンポジウムII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)