カスプ磁場印加法により育成したSi単結晶中の酸素濃度変動
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概要
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The relationship between fluctuation of oxygen concentration in Si crystals grown under the cusped magnetic field and Simelt flow during crystal growth is discussed. In the case of the center of cusped magnetic field benefited the melt surface, growth striation resulting from fluctuation of oxygen concentration appeared in the grown crystal. In this configuration, random temperature oscillation was also observed. This means that unstable melt flow is generated under the crystal/melt interface and this flow causes fluctuation of oxygen concentration in grown crystals.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
-
日比谷 孟俊
ウィーン工科大学熱流体力学研究所
-
渡辺 匡人
NEC
-
渡辺 匡人
NEC基礎研究所
-
渡辺 匡人
学習院大学理学部
-
日比谷 孟俊
首都大学東京
-
江口 実
Nec
-
江口 実
NEC基礎研究所
-
日比谷 孟俊
NEC研究開発グループ
-
渡邉 匡人
学習院大 理
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