渡辺 匡人 | NEC基礎研究所
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概要
関連著者
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渡辺 匡人
NEC
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渡辺 匡人
NEC基礎研究所
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渡邉 匡人
学習院大 理
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渡辺 匡人
学習院大学理学部
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日比谷 孟俊
ウィーン工科大学熱流体力学研究所
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首都大学東京
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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宮沢 靖人
無機材質研究所
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NEC基礎研究所
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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倉垣 俊二
住友金属
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NEC研究開発グループ
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谷川 庄一郎
筑波大学物質工
著作論文
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- F204 EMCZ法による8インチSi単結晶育成中の熱物質輸送(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
- 酸化物メルトの電磁力による回転 : バルク成長V
- 導電性るつぼ内のSiメルトの自発回転 : バルク成長II
- 24aB3 電流磁場印加結晶引上げ法(EMCZ法)によるSi結晶中の酸素濃度制御(バルク成長VII)
- 電流磁場印加法(EMCZ)により育成したSi単結晶中の酸素濃度分布 : 融液物性II
- 電磁力によるSi融液の回転 : 融液物性II
- カスプ磁場印加法により育成したSi単結晶中の酸素濃度変動
- シリコン単結晶製造時における融液の流れ
- 27pA3 CZ単結晶育成中におけるSi融液対流速度の垂直磁場による変化(バルク結晶成長シンポジウムII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- 22aA1 X線透視法によるSi単結晶育成時の融液対流観察(バルク成長I)
- ICCG-12参加報告 : バルク半導体関係