渡辺 匡人 | NEC
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概要
関連著者
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渡辺 匡人
NEC
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渡邉 匡人
学習院大 理
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江口 実
Nec
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渡辺 匡人
学習院大学理学部
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日比谷 孟俊
ウィーン工科大学熱流体力学研究所
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日比谷 孟俊
首都大学東京
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渡辺 匡人
NEC基礎研究所
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江口 実
NEC基礎研究所
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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日比谷 孟俊
NEC基礎研
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渡辺 匡人
日本電気(株)基礎研究所
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日比谷 孟俊
日本電気(株)基礎研究所
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柿本 浩一
日本電気(株)基礎研究所
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日比谷 孟俊
日本電気(株)
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江口 実
日本電気(株)基礎研究所
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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柿本 浩一
Nec基礎研究所
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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日比谷 孟悛
NEC基礎研究所
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木村 滋
JASRI
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大平 俊行
産総研
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上殿 明良
筑波大物理工
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村松 誠
筑波大物理工
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生形 友宏
筑波大物理工
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市橋 鋭也
NEC
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鈴木 良一
電総研
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大平 俊行
電総研
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三角 智久
電総研
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高須 誠一
NEC機械
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谷川 庄一郎
筑波大物理工
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市橋 鋭也
NEC基礎研究所
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上殿 明良
筑波大学物理工学科
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谷川 庄一郎
筑波大学物理工学科
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谷川 庄一郎
筑波大物質工学
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宮沢 靖人
無機材質研究所
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寺嶋 一高
湘南工科大学
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寺嶋 一高
湘南工科大学マテリアル工学科
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伊藤 誠人
住友金属工業(株)シチックス事業本部
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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三角 智久
産総研
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日比谷 孟俊
日本電気株式会社 研究開発グループ主席研究員
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李 京雨
NEC基礎研究所
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江口 実
日本電気株式会社
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木村 滋
マイクロエレ研
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日比谷 孟俊
日本電気株式会社基礎研究所
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日比谷 孟俊
日本電気基礎研究所
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江口 実
日本電気基礎研
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倉垣 俊二
住友金属
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渡辺 匡人
日本電気株式会社基礎研究所
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王 偉
日本電気株式会社基礎研究所
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日比谷 孟俊
NEC研究開発グループ
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柿本 浩一
日本電気基礎研
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渡辺 匡人
日本電気基礎研
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小野 春彦
マイクロエレクトロニクス研究所
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荒井 正之
豊橋技術科学大学
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渡辺 匡人
日本電気・基礎研
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江口 実
日本電気・基礎研
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柿本 浩一
日本電気・基礎研
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日比谷 孟俊
日本電気・基礎研
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小野 春彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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谷川 庄一郎
筑波大学物質工
著作論文
- 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 「シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御」小特集にあたって(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- F204 EMCZ法による8インチSi単結晶育成中の熱物質輸送(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
- 酸化物メルトの電磁力による回転 : バルク成長V
- 導電性るつぼ内のSiメルトの自発回転 : バルク成長II
- 電流磁場印加引上げ法(EMCZ法)によるシリコン単結晶中の酸素濃度制御(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- 24aB3 電流磁場印加結晶引上げ法(EMCZ法)によるSi結晶中の酸素濃度制御(バルク成長VII)
- 電流磁場印加法(EMCZ)により育成したSi単結晶中の酸素濃度分布 : 融液物性II
- 電磁力によるSi融液の回転 : 融液物性II
- カスプ磁場印加法により育成したSi単結晶中の酸素濃度変動
- シリコン単結晶製造時における融液の流れ
- 27pA3 CZ単結晶育成中におけるSi融液対流速度の垂直磁場による変化(バルク結晶成長シンポジウムII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- 22aA1 X線透視法によるSi単結晶育成時の融液対流観察(バルク成長I)
- ICCG-12参加報告 : バルク半導体関係
- ダブルビームX線透視法によるCzSi単結晶育成時の融液対流三次元可視化観察 : 融液成長IV
- 数値計算によるSi融液中の熱と物質の輸送現象の理解 : 融液成長VI
- Si融液対流と育成結晶中のストリエーションとの相関 : 融液成長VI
- CZ法におけるSi融液対流の三次元構造(バルク成長(II))
- Si融液対流の三次元解析 : 軸対称流について : 融液成長V