鈴木 良一 | 電総研

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概要

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関連著者

• 鈴木 良一

  電総研

• 三角 智久

  電総研

• 山崎 鉄夫

  電総研

• 大垣 英明

  電総研

• 千脇 光國

  電総研

• 杉山 卓

  電総研

• 山田家 和勝

  産業技術総合研究所

• 大平 俊行

  電総研

• 大平 俊行

  産総研

• 野口 勉

  電総研

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  電総研

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  電総研

• 清紀 弘

  産総研

• 河合 正之

  川崎重工

• 杉山 卓

  電子技術総合研究所

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  川崎重工

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  電総研

• 冨増 多喜夫

  (株)自由電子レーザ研究所

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  産総研

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  川崎重工

• 野口 勉

  産業技術総合研

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  電総研

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  京大エネルギー理工

• 冨増 多喜夫

  電総研

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  川崎重工

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  東学大・物理

• 小森 文夫

  東大物性研

• 千脇 光圀

  電総研

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• 伊藤 泰男

  東大原総セ

• 金沢 育三

  東学大物理

• 伊藤 泰男

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• 永田 智啓

  東大・工:(現)ulvac

• 小林 慶規

  産業技術総合研究所

• 小林 慶規

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• 小林 慶規

  独立行政法人 産業技術総合研究所 計測標準研究部門

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  産総研

• 伊藤 泰男

  東大 原子力研総セ

• 尾崎 新

  東学大物理

• 寺島 孝武

  東学大物理:(現)阪大産研

• 永田 智啓

  東学大物理

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  電総研

• 小林 慶規

  化技研

• 豊川 弘之

  産業技術総合研究所

• 寺島 孝武

  東学大物理

• 高木 広次

  東学大物理

• 谷川 庄一郎

  筑波大物質工学

• 富増 多喜夫

  電総研

• 鈴木 良一

  電子技術総合研究所

• 清水 貴思

  電総研

• 冨増 多喜夫

  FEL研

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 上殿 明良

  筑波大物理工

• 村松 誠

  筑波大物理工

• 生形 友宏

  筑波大物理工

• 谷川 庄一郎

  筑波大物理工

• 兵頭 俊夫

  東大教養

• 東 俊行

  東大教養

• 赤羽 隆史

  無機材研

• 千葉 利信

  無機材研

• 大滝 英一

  東学大物理

• 豊川 弘之

  (独)産業技術総合研究所 計測フロンティア研究部門

• 塩谷 亘弘

  理研

• 斎藤 晴雄

  東大教養

• 東 俊行

  東大教養学部

• 谷川 庄一郎

  筑波大物質工

• 長谷川 雅考

  電総研

• 川島 克彦

  東大院総合文化

• 中村 剛

  電総研

• 佐伯 清

  松下電器

• 冨増 多喜夫

  自由電子レーザー研究所

• 西村 栄一

  FEL研

• 川島 克彦

  東大教養

• 富増 多喜夫

  自由電子レーザ研

• 鈴木 良一

  独立行政法人 産業技術総合研究所 計測フロンティア研究部門

• 富増 多喜夫

  自由電子レーザー研

• 谷川 庄一郎

  筑波大物質

• 谷川 庄一郎

  筑波大学物質工

• 佐藤 公法

  東京学芸大学環境科学分野

• 三島 賢二

  KEK

• 藤浪 真紀

  千葉大院工

• 渡辺 匡人

  NEC

• 市橋 鋭也

  NEC

• 高須 誠一

  NEC機械

• 谷野 浩敏

  筑波大物質工

• 中野 明彦

  STARC

• 山本 秀和

  STARC

• 浅井 吉蔵

  電気通信大学

• 浅井 吉蔵

  電通大

• 中村 仁

  電通大

• 神谷 祥二

  川崎重工業(株)技術研究所

• 山田 修義

  電通大

• 佐藤 公法

  東学大・物理

• 竹内 伸

  東理大・基礎工

• 小森 文夫

  東大・物性研

• 田中 良和

  理研・播磨研

• 山田 修義

  電通大量子・物質工

• 山田 修義

  電通大量子・物質

• 橋本 巌

  東理大理

• 高橋 春美

  東学大物理

• 田中 良和

  理研播磨

• 田中 良和

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• 河田 洋

  高エネ研

• 坂井 信彦

  姫工大理

• 岩住 俊明

  高エネ研

• 赤羽 隆史

  Nims物質研

• 赤羽 隆史

  物質・材料研究機構

• 赤羽 隆史

  無機材質研究所

• 伊藤 文武

  群馬大工

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• 坂井 信彦

  理研

• 三島 賢二

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• 小林 直人

  電総研

• 大垣 英明

  京大 エネルギー理工学研

• 内山 英史

  総研大

• 桜井 浩

  群馬大工

• 金沢 育三

  東京学芸大.物

• 金沢 育三

  東京学芸大

• 金沢 育三

  東京学芸大学教育学部

• 合澤 清志

  川崎重工業

• 林 伸行

  電総研

• 古川 範之

  東学大物理

• 伊東 泰男

  東大原総セ

• 寺島 孝武

  東学大・物理

• 岩本 智

  東学大物理

• 高橋 康文

  東学大・物理

• 内山 英史

  東学大・物理

• 渡辺 匡人

  学習院大学理学部

• 岡村 修

  川崎重工

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 内藤 晋

  Power And Industrial Systems Research And Development Center Toshiba Corporation

• 内藤 晋

  阪大RCNP

• 田村 浩一

  東工大理

• 田村 浩一

  阪大RCNP

• 越川 誠一

  電総研

• 武田 直人

  電総研

• 山田 家相勝

  電総研

• 山崎 鉄夫

  京大エネ

• 山崎 貴司

  東理大理

• 武田 直人

  産総研

• 武田 直人

  電子技術総合研究所

• 渡辺 和人

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  MIRAIプロジェクト

• 菊地 吉男

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• 加勢 正隆

  富士通(株)ULSI開発部

• 上杉 文彦

  東理大

• 越川 誠一

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• 奥 康成

  川崎重工

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  電総研

• 岩田 章

  川崎重工業(株)

• 岩田 章

  川崎重工

• 岩田 章

  東京理科大学 総合研究所赤外自由電子レーザー研究センター

• 吉和 雅雄

  川崎重工

• 浅井 吉藏

  電通大

• 高木 公次

  東学大・物理

• 古川 範之

  東学大・物理

• 永田 智啓

  東学大・物理

• 河合 崇夫

  東学大物理

• Takeuchi S

  Sci. Univ. Tokyo Chiba Jpn

• 河 正之

  川崎重工

• 野口 務

  電総研

• 橋本 巌

  東理大 理

• 藤波 真紀

  新日鉄先端技術研

• 栗原 俊

  高エネ機構物構研

• 宮増 多喜夫

  電総研

• 佐伯 清

  FEL研

• 佐伯 清

  川崎重工

• 西村 栄一

  川崎重工

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  Nec基礎・環境研究所

• 合澤 清志

  川崎重工業(株)技術研究所

• 藤浪 真紀

  新日鉄先端研

• 山崎 貴司

  東理大物理

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• 濱田 信治

  川崎重工

• 山田 和勝

  電総研

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• 竹内 伸

  Department Of Materials Science And Technology Science University Of Tokyo

• 宇佐見 浩

  住友電工

• Takeuchi Shin

  Department Of Materials Science And Technology Science University Of Tokyo

• 加勢 正隆

  富士通

• 渡邉 匡人

  学習院大 理

• 神谷 祥二

  川崎重工業(株)

• 谷川 庄一郎

  筑波大 物質

• Takiuchi Satoshi

  Faculty Of Engineering Yamanashi University

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学系

• 小林 慶視

  化技研

• 山崎 敏夫

  電総研

• 佐藤 信二

  三菱電機

• 小倉 正義

  三洋電機

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  理研

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  電総研

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  東理大

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  東理大

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著作論文

• 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
• 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
• 27a-APS-8 鉄の磁性電子3次元運動量分布
• 25pY-11 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の空孔型欠陥の評価
• 25aYL-4 金属薄膜の低速陽電子ビームを用いた欠陥評価
• 28a-XJ-10 低速陽電子ビーム法による金属薄膜の欠陥評価
• 29a-ZA-8 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の欠陥評価
• 30a-YC-8 低速陽電子寿命法による金属薄膜Fe,Hfの研究
• 23aYC-2 蓄積リングTERASにおける汎用LCSラインの建設
• 30p-YT-3 低速陽電子ビーム寿命測定法による準結晶AIPdMnの研究
• 31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
• 30p-R-10 紫外域自由電子レーザー用小型電子蓄積リングの現状
• 29pYC-5 水素雰囲気中において作成したFe単層膜の低速陽電子ビームによる評価
• 23pYH-11 水素雰囲気下におけるFe単層膜の作成と低速陽電子ビームによる測定
• 30a-PS-36 酸素吸着MoS_2表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光
• 31a-S-6 MoS_2表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光
• 28a-YQ-10 蓄積リングNIJI-IVにおける遠紫外域自由電子レーザー発振
• 28a-YQ-9 クロマティシティ補正による電子ビームの高品質化とFELの短波長化
• 30a-YL-1 NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究 IV
• 7p-Q-12 NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究III
• 7p-Q-11 NIJI-IV自由電子レーザーにおける高次高調波の観測II
• 31p-YA-2 NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究II
• NIJI-IV自由電子レーザーにおける高次高調波の観測
• NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究 I
• 31a-S-1 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XV
• 30a-YB-12 短波長自由電子レーザー用誘電体多層膜ミラーの損失V
• 30a-YB-11 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XIV
• 7a-G-4 レーザー逆コンプトン散乱γ線による(γ_、γ)実験
• 4p-E4-1 電子リニアックを用いた低速陽電子の発化
• 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
• 低速陽電子ビームを用いた陽電子寿命測定および陽電子消滅励起オージェ電子分光
• 陽電子顕微鏡の基礎実験
• 陽電子ビーム2.ビーム陽電子による寿命測定
• 30a-YB-10 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XIII
• 30p-YP-8 短波長自由電子レーザー用誘電体多層膜ミラーの損失IV
• 30p-YP-7 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XII
• 30p-YP-6 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XI
• 2p-K-11 短波長自由電子レーザー用誘電体多層膜ミラーの損失 III
• 2p-K-10 蓄積リングNIJI-IV における自由電子レーザーの研究 X
• 6a-ZF-8 電子蓄積リングを用いた自由電子レーザーの研究I : ゲイン測定
• 27pXC-7 入射エネルギー可変陽電子を用いた陽電子寿命運動量相関測定 II
• 30p-YK-1 陽電子ビームによるSi中水素関与欠陥の挙動研究
• 30p-E-9 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 VIII
• 15a-DA-12 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 V
• 15a-DA-11 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 VI
• 1p-K-7 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究IV
• 1p-K-6 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究III
• 25a-ZL-10 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 II
• 25a-ZL-9 蓄積リング NIJI-IV における自由電子レーザーの研究 I
• 30a-YC-7 タングステンからの陽電子再放出
• 高分解能陽電子消滅励起オージェ電子分光装置の製作(II)
• 31p-PSB-61 高分解能陽電子消滅励起オージェ電子分光装置の製作
• 29p-B-8 超低速短パルス陽電子ビームラインの開発
• 2p-G-3 電総研での逆コンプトン散乱による^Pb(γ_pol、γ)実験
• 2p-K-9 蓄積リングNIJI-IV における自由電子レーザーの研究 IX
• 30p-E-8 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 VII
• 1a-X-10 パルス状単色陽電子ビームによるHOPG表面上の陽電子寿命の研究II
• 28a-T-12 パルス状単色陽電子ビームによるHOPG表面上の陽電子寿命の研究
• 23pYH-10 入射エネルギー可変陽電子を用いた陽電子寿命運動量相関測定 I
• 24aYA-4 シリコン酸化表面からの再放出陽電子のTOF分析
• 26p-K-1 短パルス低速陽電子ビームを用いた材料分析
• 27a-PS-70 酸素吸着Si(111)表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光
• 29a-PS-57 陽電子消滅励起オージェ電子分光法によるオージェピーク形状分析
• 27p-T-1 電子蓄積リングを用いた自由電子レーザーの研究VI.
• 30p-R-9 電子蓄積リングを用いた自由電子レーザーの研究V.
• 24a-N-9 電子蓄積リングを用いた自由電子レーザーの研究IV.
• 27p-PSA-17 飛行時間分析法による陽電子消滅励起オージェ電子分光
• 27a-ZN-2 エネルギー可変陽電子寿命測定装置の開発II
• 27a-T-4 エネルギー可変陽電子寿命測定装置の開発
• 低速陽電子タイムバンチ装置の開発II
• 28p-H-3 レーザー逆コンプトン混乱γ線の収量測定用検出器の開発
• 30p-ZG-5 Nd:YAGレーザーの2次高調波を用いた逆コンプトン散乱による準単色γ線の測定
• 30p-ZG-4 逆コンプトン散乱γ線生成用YAGレーザー装置
• 31a-N-3 電総研での逆コンセプト散乱による(γ, γ) 実験 II
• 5a-H-13 電総研での逆コンプトン散乱を利用した(γ, γ)実験
• 30p-ZQ-5 電総研での逆コンプトン散乱による偏極γ線の偏極度測定システム
• 3p-E-10 逆コンプトン散乱による偏極準単色γ線発生装置
• 陽電子寿命測定による表面近傍の微小空隙サイズの推定
• 高強度低速陽電子ビームの発生とそれを用いた物性測定
• 28p-YG-4 電総研における高強度短パルス陽電子ビームの発生とその応用
• 6p-R-8 再帰的探索法による等ポテンシャル面の3次元表示
• 30a-R-7 電子蓄積リングを用いた自由電子レーザーの研究II.
• 3a-N-2 低速陽電子タイムバンチ装置の開発
• 3p-D4-9 レーザ・コンプトン散乱によるエネルギー可変準単色γ線の生成II(放射線物理)
• 1p-K3-14 陽電子パルスの直流化 III(金属)
• 31a-F3-1 電総研蓄積リングのbeam sizeとion trapping(素粒子実験(加速器))

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