加勢 正隆 | 富士通(株)ULSI開発部
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概要
関連著者
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加勢 正隆
富士通(株)ULSI開発部
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加勢 正隆
富士通
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橋本 巌
東理大理
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渡辺 和人
都立高専
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菊地 吉男
MIRAIプロジェクト
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上杉 文彦
東芝ナノアナリシス(株)
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上杉 文彦
東理大
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橋本 巌
東理大 理
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橋本 巌
東理大
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菊地 吉男
富士通(株)
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菊地 吉男
富士通研
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加勢 正隆
富士通株式会社
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加瀬 正隆
富士通
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森 年史
富士通(株)
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橋本 浩一
富士通(株)
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森 年史
富士通株式会社
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ピディン S.
富士通
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ピディン S.
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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後藤 賢一
富士通株式会社 次世代lsi開発事業部
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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吉田 正道
富士通(株)プロセス開発部
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吉田 正道
富士通
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後藤 賢一
(株)富士通研究所
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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ピディン セルゲイ
富士通(株)次世代lsi開発事業部
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中村 亮
富士通(株)次世代lsi開発事業部
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斎木 孝志
富士通
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ピデイン セルゲイ
富士通(株)次世代LSI開発事業部
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斎木 孝志
富士通(株)次世代LSI開発事業部
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佐藤 成生
富士通(株)次世代LSI開発事業部
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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鈴木 良一
電総研
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児島 学
富士通
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森岡 博
富士通(株)
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大田 裕之
富士通、あきる野テクノロジセンター
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小倉 輝
富士通、あきる野テクノロジセンター
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田村 直義
富士通研究所
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橋本 浩一
富士通プロセス開発部第1開発部
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松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
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松尾 二郎
京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター
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瀬木 利夫
京都大学 大学院工学研究科 原子核工学専攻
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青木 学聡
京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
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山崎 貴司
東理大理
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山田 公
京都大学工学部附属イオン工学実験施設
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草場 拓也
京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設
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瀬木 利夫
京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設
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青木 学聡
京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設
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籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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橋川 直人
東理大
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長枝 浩
株式会社トリマティス
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長枝 浩
富士通
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森岡 博
富士通株式会社
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田川 幸雄
富士通
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稲垣 聡
富士通
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堀 充明
富士通
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大田 裕之
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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籾山 陽一
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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小倉 輝
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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稲垣 聡
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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田村 直義
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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堀 充明
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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杉井 寿博
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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山田 公
京大
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菊池 吉男
富士通
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半田 久美子
富士通(株)
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田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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橋本 浩一
富士通
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田川 幸雄
富士通株式会社
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籾山 陽一
富士通(株)
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栗原 俊
高エネ機構物構研
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上杉 文彦
東理大理
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山崎 貴司
東理大物理
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青木 学聡
クラスターイオンビーム集中研究体
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杉井 寿博
富士通
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山田 公
京都大学
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後藤 賢一
富士通
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田村 直義
富士通セミコンダクター株式会社
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山崎 貴司
東理大
著作論文
- デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響
- 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
- 65nmノード用高性能25nm CMOS技術
- 29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物
- 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
- 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
- 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
- 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
- 5a-X-3 CBED法よるイオン打ち込みされたSi中の欠陥の研究
- CBED法によるSi中のB, As濃度分布の決定
- 高応力を有する窒化膜使用によるMOSFETの駆動能力向上(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 高応力を有する窒化膜使用によるMOSFETの駆動能力向上(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))