上杉 文彦 | 東理大
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概要
関連著者
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橋本 巌
東理大理
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渡辺 和人
都立高専
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上杉 文彦
東理大
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橋本 巌
東理大 理
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上杉 文彦
東芝ナノアナリシス(株)
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橋本 巌
東理大
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菊地 吉男
MIRAIプロジェクト
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加勢 正隆
富士通
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加勢 正隆
富士通(株)ULSI開発部
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菊地 吉男
富士通(株)
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菊地 吉男
富士通研
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吉田 正道
富士通(株)プロセス開発部
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吉田 正道
富士通
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長枝 浩
株式会社トリマティス
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長枝 浩
富士通
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電総研
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東理大
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加瀬 正隆
富士通
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富士通
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半田 久美子
富士通(株)
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栗原 俊
高エネ機構物構研
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山崎 貴司
東理大物理
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山崎 貴司
東理大
著作論文
- 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
- 31a-ZA-4 ランプアニール後のAs注入Si基板の残留欠陥
- 29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物
- 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
- 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
- 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
- 25p-K-10 動力学計算を用いたSi結晶の格子定数の精密測定。
- 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
- CBED法によるSi中のB, As濃度分布の決定
- Sbをイオン打ち込みしたSi中の欠陥のアニーリング時間依存性
- 3a-M-13 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物III
- 27a-N-4 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物II