加勢 正隆 | 富士通
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
加勢 正隆
富士通
-
橋本 巌
東理大理
-
渡辺 和人
都立高専
-
菊地 吉男
MIRAIプロジェクト
-
上杉 文彦
東芝ナノアナリシス(株)
-
加勢 正隆
富士通(株)ULSI開発部
-
上杉 文彦
東理大
-
橋本 巌
東理大 理
-
橋本 巌
東理大
-
菊地 吉男
富士通(株)
-
菊地 吉男
富士通研
-
加瀬 正隆
富士通
-
吉田 正道
富士通(株)プロセス開発部
-
吉田 正道
富士通
-
長枝 浩
株式会社トリマティス
-
長枝 浩
富士通
-
菊池 吉男
富士通
-
上杉 文彦
東理大理
-
鈴木 良一
電総研
-
児島 学
富士通
-
後藤 賢一
富士通株式会社 次世代lsi開発事業部
-
森岡 博
富士通(株)
-
森 年史
富士通(株)
-
橋本 浩一
富士通(株)
-
杉井 寿博
(株)富士通研究所
-
大田 裕之
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
小倉 輝
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
田村 直義
富士通研究所
-
橋本 浩一
富士通プロセス開発部第1開発部
-
山崎 貴司
東理大理
-
後藤 賢一
(株)富士通研究所
-
籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
橋川 直人
東理大
-
森 年史
富士通株式会社
-
加勢 正隆
富士通株式会社
-
森岡 博
富士通株式会社
-
田川 幸雄
富士通
-
ピディン S.
富士通
-
稲垣 聡
富士通
-
堀 充明
富士通
-
大田 裕之
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
ピディン S.
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
籾山 陽一
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
小倉 輝
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
稲垣 聡
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
田村 直義
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
堀 充明
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
杉井 寿博
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
半田 久美子
富士通(株)
-
田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
橋本 浩一
富士通
-
田川 幸雄
富士通株式会社
-
籾山 陽一
富士通(株)
-
栗原 俊
高エネ機構物構研
-
山崎 貴司
東理大物理
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
-
杉井 寿博
富士通
-
後藤 賢一
富士通
-
田村 直義
富士通セミコンダクター株式会社
-
山崎 貴司
東理大
著作論文
- 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
- 65nmノード用高性能25nm CMOS技術
- 31a-ZA-4 ランプアニール後のAs注入Si基板の残留欠陥
- 29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物
- 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
- 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
- 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
- 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
- 5a-X-3 CBED法よるイオン打ち込みされたSi中の欠陥の研究
- CBED法によるSi中のB, As濃度分布の決定
- 30p-YC-2 HOLZ lineを用いたイオン打ち込みされたSi中のself-interstitialの解析