31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1996-03-15

著者

• 橋本 巌

  東理大理

• 渡辺 和人

  都立高専

• 菊地 吉男

  MIRAIプロジェクト

• 加勢 正隆

  富士通(株)ULSI開発部

• 橋川 直人

  東理大

• 菊地 吉男

  富士通(株)

• 上杉 文彦

  東理大

• 橋本 巌

  東理大 理

• 上杉 文彦

  東芝ナノアナリシス(株)

• 加勢 正隆

  富士通

• 橋本 巌

  東理大

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