20aYN-3 Epitaxial a-plane InGaN/GaNの電子顕微鏡観察(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 橋本 巌

  東理大理

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 橋本 巌

  東理大物理

• 山崎 貴司

  東理大理

• 中西 伸登

  東理大理

• 大川 和宏

  東理大応用理:jst Erato

• 草部 一秀

  東理大理

• 草部 一秀

  東理大応用理

• 大川 和宏

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