大川 和宏 | 東理大応用理:jst Erato
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概要
関連著者
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大川 和宏
東理大応用理:jst Erato
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山崎 貴司
富士通研究所
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草部 一秀
東理大応用理
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橋本 巌
東理大理
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橋本 巌
東理大物理
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山崎 貴司
東理大理
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草部 一秀
東理大理
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原田 義之
大阪工大ナノ材研
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倉持 幸治
東理大理
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大川 和宏
東理大理
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東理大物理
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大山 忠司
阪大理
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大山 忠司
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山崎 貴司
東京理科大学 理学部
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中西 伸登
東理大理
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橋本 巖
東理大理
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大川 和宏
松下中研
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中田 博保
阪大理
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原田 義之
理研
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橋本 厳
東理大理
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中田 博保
阪大教養
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原田 義之
阪大教養
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照井 大輔
東理大理
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山崎 貴司
東理大物理
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大川 和宏
科技構ERATO
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大川 和宏
松下半研センター
著作論文
- 24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aRB-1 半極性GaNとドメイン分離GaNの構造解析(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYN-3 Epitaxial a-plane InGaN/GaNの電子顕微鏡観察(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30p-X-6 ZnSe薄膜におけるドナーの遠赤外吸収
- 28p-G-13 ZnSe薄膜の遠赤外磁気光吸収