倉持 幸治 | 東理大理
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概要
関連著者
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倉持 幸治
東理大理
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渡辺 和人
都立産技高専
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山崎 貴司
東理大理
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橋本 巌
東理大理
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山崎 貴司
富士通研究所
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橋本 巌
東理大物理
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渡辺 和人
都立高専
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橋本 巖
東理大理
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渡辺 和人
産業技術高専
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渡辺 和人
東京都立工業高等専門学校
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橋本 厳
東理大理
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中西 伸登
東理大理
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山崎 貴司
東京理科大学 理学部
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鈴木 謙太郎
東理大理
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大塚 真弘
東理大理
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小高 康稔
富士通研究所
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三石 和貴
物材機構
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三石 和貴
物質・材料研究機構
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小高 康稔
東大工
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菊地 吉男
MIRAIプロジェクト
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大川 和宏
東理大理
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大川 和宏
東理大応用理:jst Erato
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富樫 富隆
東理大理
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江原 彩子
東理大理
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草部 一秀
東理大理
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伊坂 朋子
東理大理
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三石 和貴
物質材料研究機構
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草部 一秀
東理大応用理
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三石 和貴
(独)物質・材料研究機構
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小高 康稔
富士通研
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三石 和貴
物材機構ナノマテ研
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古屋 一夫
物材機構
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古屋 一夫
物質・材料研究機構
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竹口 雅樹
物質・材料研究機構
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山崎 青司
東理大理
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小高 廣稔
富士通研
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竹口 雅樹
物材機構
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渡邉 琢哉
東理大理
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高松 広輝
東理大理
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尾崎 優子
東理大理
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安西 優
東理大理
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柏木 章宏
東理大理
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竹口 雅樹
物質材料研究機構
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照井 大輔
東理大理
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倉持 幸治
産業技術高専
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古屋 一夫
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研
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古屋 一夫
金属材料技術研究所精密励起場ステーション
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照井 大輔
東理大物理
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高島 隆一
東理大理
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竹口 雅樹
物材機構ナノマテ研
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安西 優
東理大
著作論文
- 28pYA-13 高分解能HAADF STEM像に及ぼす非点の影響(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pYA-14 Ronchigramを用いたレンズ定数の測定(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aRB-1 In濃度に依存したIndium-zinc oxide透明導電薄膜の構造解析(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pWA-2 Co_3O_4におけるHAADF STEM像の像形成について(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pWA-1 Layer-by-layer法を用いた非整合多層膜の動力学計算II(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23aTG-11 スプレー法を用いた遷移金属内包カーボンナノオニオンの作成とその構造解析(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYF-11 a-Zn_7Sb_2O_の(110)面に形成される双晶境界の精密構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYF-12 Layer-by-Layer法を用いた非整合多層膜の動力学計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22pTD-7 Split HOLZ lineを用いた実デバイス中に生じる歪み分布測定(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pTC-2 低指数入射CBED像を用いたSiGe中の湾曲測定(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pTC-4 Absorptive form factorの高速計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pTC-5 高分解能共焦点STEM像の結像理論とその可能性(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-5 Zn_7Sb_2O_spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXB-4 Indium-tin-oxide透明導電膜中のSn濃度に依存した構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20axB-5 Zn_7Sb_2O_ spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aYK-6 HAADF STEM像に及ぼす分解能関数の影響(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25aYK-13 鉄微粒子を内包したカーボンナノオニオンの構造解析(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pYA-12 非整合系多層膜の動力学計算(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pYA-15 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定II(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aYM-11 低指数入射HOLZ線の定式化と歪測定への可能性(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aYM-7 Layer-by-layer法を用いたHAADF STEM計算の改良(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYN-6 カーボンオニオンに内包されたFeの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYS-5 Kr-doped Geの再結晶化領域の構造観察(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 25pYS-3 収束電子線回折法によるSOI wafer中の歪分布の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 13pTJ-12 Si の再結晶化領域に形成される lamellar microtwin の原子構造(電子線, 領域 10)
- 13pTJ-6 収束電子線回折法を用いた Si/SiO_2 酸化膜の歪分布の精密測定(電子線, 領域 10)
- 15aTJ-4 HF-CVD diamond 結晶粒間に形成されるナノ closed-shell carbon の観察(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 28pXM-4 再結晶化したSi薄膜の精密構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 19aXC-5 高分解能HAADF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)