渡辺 和人 | 産業技術高専

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 渡辺 和人

  産業技術高専

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 山崎 貴司

  東理大理

• 倉持 幸治

  東理大理

• 渡辺 和人

  東京都立工業高等専門学校

• 橋本 巌

  東理大理

• 橋本 巌

  東理大物理

• 橋本 厳

  東理大理

• 橋本 巖

  東理大理

• 鈴木 謙太郎

  東理大理

• 山崎 貴司

  東京理科大学 理学部

• 本田 耕一郎

  富士通研究所

• Shimizu Masahiro

  Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation

• 小高 康稔

  富士通研究所

• Funakubo H

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• Funakubo H

  Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn

• 三石 和貴

  物材機構

• 竹口 雅樹

  物質・材料研究機構

• 三石 和貴

  物質・材料研究機構

• 藤沢 浩訓

  兵庫県大

• 清水 勝

  兵庫県大

• 本田 耕一郎

  富士通研

• 小高 康稔

  東大工

• 竹口 雅樹

  物材機構

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• 渡邉 琢哉

  東理大理

• 江原 彩子

  東理大理

• 大塚 真弘

  東理大理

• 尾崎 優子

  東理大理

• Shimizu M

  Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center

• Mitsugi Satoshi

  Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology

• Shimizu Mitsuaki

  Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology

• Shimizu M

  Tokyo Inst. Technology Yokohama

• 柏木 章宏

  東理大理

• 三石 和貴

  物質材料研究機構

• 竹口 雅樹

  物質材料研究機構

• 倉持 幸治

  産業技術高専

• Fujisawa Hironori

  Department Of Electrical Electronic And Computer Engineering Graduate School Of Engineering Hitneji

• Fujisawa Hironori

  Graduate School Of Engineering University Of Hyogo

• 三石 和貴

  (独)物質・材料研究機構

• Shimizu M

  Tokyo Univ. Agriculture & Technol. Koganei

• 藤沢 浩訓

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• 竹口 雅樹

  物材機構ナノマテ研

• 小高 康稔

  富士通研

• 三石 和貴

  物材機構ナノマテ研

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著作論文

• 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21pWA-2 Co_3O_4におけるHAADF STEM像の像形成について(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23aTG-11 スプレー法を用いた遷移金属内包カーボンナノオニオンの作成とその構造解析(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYF-11 a-Zn_7Sb_2O_の(110)面に形成される双晶境界の精密構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-2 低指数入射CBED像を用いたSiGe中の湾曲測定(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-4 Absorptive form factorの高速計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-5 高分解能共焦点STEM像の結像理論とその可能性(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-5 Zn_7Sb_2O_spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-4 Indium-tin-oxide透明導電膜中のSn濃度に依存した構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20axB-5 Zn_7Sb_2O_ spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19aXC-5 高分解能HAADF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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